版图理解与规则

最新推荐文章于 2022-12-26 11:14:05 发布
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分类专栏： 模拟集成
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本文链接：https://blog.csdn.net/fzf1996/article/details/111193908
版权
这篇博客探讨了在P型衬底上构建PMOS晶体管时如何通过N阱工艺实现。文章指出，为了在P型衬底上制作PMOS，需要在硅表面创建N型井，即N阱，这通常是通过在P+区域中注入N型杂质来完成的。这一过程对于理解半导体制造，特别是集成电路（IC）设计中的CMOS技术至关重要。
摘要由CSDN通过智能技术生成

 

NMOS PMOS都是P衬底

P衬底做PMOS，需要做N阱，就是N型硅上面打井填充P+

 

 

CSMC 0.5UM

大大U
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专栏目录
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版图基础知识（二）
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qq_49315469的博客
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【设计】】MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
Carol0630的博客
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a7257825的博客
08-21 837
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射频开关常见优化技术——深N阱MOS设计
m0_62489442的博客
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0.6um混合信号版图拓扑规则
12-17
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