射频开关常见优化技术——深N阱MOS设计

普通双阱的缺点

 普通双阱NMOS横截面示意图

普通双阱NMOS小信号电路图

如图所示，为交叠寄生电容，为寄生PN结电容，为衬底连接电阻。

        当MOS作为串联开关导通时，由于寄生电容的存在，信号容易通过电容耦合泄露至衬底。且由于较小，信号又从P衬底泄露至地，导致插入损耗恶化。

        同样，假设信号由漏极输入，因为较小，则漏极-寄生支路上存在较大的信号摆幅，且该信号压降多数由承担，限制MOS线性度。

        假设衬底电阻过大。当MOS作为串联开关关断时，由于耦合，且过大，则信号容易从漏极耦合至源极，从而恶化开关的隔离度性能。

 

 深N阱MOS优化

 

 

 

 为寄生二极管。

        何为深N阱MOS？

        深N阱MOS在P阱与P衬底之间加入深N阱层。用以提高MOS在有源区与衬底之间的隔离度，减少信号耦合泄露。

         将P阱、深N阱、P衬底偏置在合理的直流电压下，使处于反偏状态，就可以在不恶化的情况下优化插入损耗。

         为了提高隔离度，采用深N阱MOS开关设计，通常需要加入并联MOS管，构成串并联结构开关。