deepnwell

最新推荐文章于 2023-06-04 21:50:57 发布
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深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

哆啦a懵
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现代CMOS工艺基本流程,很直观
【转载】关于深N肼
possible
04-08 9177
引用自：邓健. 12位100MSps低功耗SAR ADC的研究与设计[D]. 电子科技大学, 2017. 对于局部电路，所有的 NMOS 都做在 P 衬底上，噪声会通过衬底串扰到噪声敏感电路，如图 5-5(a)所示，使得器件的阈值电压受噪声的干扰，电流非线性更加明显；图 5-5(b)所示电路中，将噪声敏感电路的器件置于深 N 阱（Deep N-Well：DNW）中，由于 NW/DNW 将关键...
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参考：MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管 P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； Deep Nwell，是在PSUB工艺情况下，对NMOS管可以采取的一种隔离方式，底部是deep nwell，周围是nwell形成的一个环，来隔离共衬底引起的噪声干扰。 N
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模拟IC设计之MOS器件物理基础
模拟cmos集成电路（1）
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可靠性设计之闩锁效应
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初始/deep/时百度搜索看了好多人的文章,有些内容不全有些理解错误(仅个人观点) 自己记录下 1.在了解/deep/之前需先了解scoped属性作用 看博文https://blog.csdn.net/weixin_45842655/article/details/103490900或者点我跳转 2.看官方文档 比较全面 https://vue-loader.vuejs.org/zh/guide/...
【工艺】Isolation
Carol0630的博客
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Chapter 2 The well
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第二章讲CMOS制造中的阱，顺带介绍各种层和PN节，因此会介绍各种寄生电容电阻The Substrate 衬底一般CMOS采用P衬底, 这里是直接假设NMOS会直接做在Psub上，PMOS做在N-well里，现在好一点的工艺，PMOS做在Nwell里，而NMOS基本都能做在Nwell包裹着的Pwell，所谓的SOI (Slicon on Insulator)。需要注意接这些阱的电位，一般来说deep-nwell接模拟电源AVDD。
MOS管衬底电位接法讲究
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P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； N-WLL工艺，PMOS的衬底都是一样的，都是N-WELL，因此不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他PMOS的特性，因此PMOS的衬底只能接VDD（高电位）； N-WELL工艺，NMOS管的P衬底都是单独的，因此可以将.
virtuoso根据原理图绘制版图并联接_virtuoso自学笔记
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dnw和超级终端在嵌入式开发板烧程序的作用
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04-06 4884
超级终端用来和开发板进行实时通讯的，通过超级终端可以实时的知道开发板目前的状态，开发板通过串口和pc通信，将当前开发板的状态反映给开发者，采用的是RS232协议，是一种对等通讯，是可以交互，而dnw主要用于文件传输，是用来下载的，只能将pc上的文件传输到开发板中，采用usb协议，是主从通信的，不能交互。       今天总算是把超级终端搞定了，哈哈！现在就可以用自己的本本玩开发板了。
烧写工具DNW的使用
GuDuFengChen的博客
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https://wenku.baidu.com/view/2d4dc0913186bceb19e8bbca.html
deep lstm和arrn-lstm的区别
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11-28
根据提供的引用内容，可以得知LSTM是RNN的一种改进，而DBN是一种概率生成模型。因此，不存在deep lstm和arrn-lstm的区别。或许您想问的是deep lstm和LSTM的区别，或者是LSTM和普通RNN的区别。 如果是前者，那么deep lstm是指多层LSTM网络，而LSTM是指单层LSTM网络。多层LSTM网络可以更好地处理复杂的序列数据，但也更加难以训练和调整参数。 如果是后者，那么LSTM相比于普通RNN，引入了三个门控机制：输入门、遗忘门和输出门，可以更好地处理长序列数据，并且可以避免梯度消失或爆炸的问题。而普通RNN只有一个简单的状态传递，容易出现梯度消失或爆炸的问题。 下面是一个演示LSTM和普通RNN的区别的例子： ```python import torch import torch.nn as nn # 定义一个简单的RNN网络 class SimpleRNN(nn.Module): def __init__(self, input_size, hidden_size, output_size): super(SimpleRNN, self).__init__() self.hidden_size = hidden_size self.i2h = nn.Linear(input_size + hidden_size, hidden_size) self.i2o = nn.Linear(input_size + hidden_size, output_size) self.softmax = nn.LogSoftmax(dim=1) def forward(self, input, hidden): combined = torch.cat((input, hidden), 1) hidden = self.i2h(combined) output = self.i2o(combined) output = self.softmax(output) return output, hidden def initHidden(self): return torch.zeros(1, self.hidden_size) # 定义一个简单的LSTM网络 class SimpleLSTM(nn.Module): def __init__(self, input_size, hidden_size, output_size): super(SimpleLSTM, self).__init__() self.hidden_size = hidden_size self.lstm = nn.LSTM(input_size, hidden_size) self.out = nn.Linear(hidden_size, output_size) self.softmax = nn.LogSoftmax(dim=1) def forward(self, input, hidden): output, hidden = self.lstm(input.view(1, 1, -1), hidden) output = self.out(output.view(1, -1)) output = self.softmax(output) return output, hidden def initHidden(self): return (torch.zeros(1, 1, self.hidden_size), torch.zeros(1, 1, self.hidden_size)) # 定义一个简单的序列数据 input_seq = torch.tensor([[1, 2, 3], [4, 5, 6], [7, 8, 9], [10, 11, 12]]) # 使用RNN进行序列预测 rnn = SimpleRNN(3, 3, 3) hidden = rnn.initHidden() for i in range(input_seq.size()[0]): output, hidden = rnn(input_seq[i], hidden) print(output) # 使用LSTM进行序列预测 lstm = SimpleLSTM(3, 3, 3) hidden = lstm.initHidden() for i in range(input_seq.size()[0]): output, hidden = lstm(input_seq[i], hidden) print(output) ```

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