deepnwell

最新推荐文章于 2023-06-04 21:50:57 发布
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深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

哆啦a懵
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virtuoso根据原理图绘制版图并联接_virtuoso自学笔记
weixin_39846378的博客
02-22 9539
以反相器为例。Tool → Library manager选中一个库File → new → cell view1. 原理图新建一个库，向库中新建cell，新建cell后会自动弹出原理图绘制界面image.png先画原理图：image.png快捷键介绍：(1)添加元器件：i，左键放置、右键旋转、Esc推出载入(2)查看器件参数值：选中某元件后按q(3)保存电路原理图：x(4)撤销上次操作：u(5)...
【转载】关于深N肼
possible
04-08 9463
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Deep N Well instruction.pdf
07-23
Impact of Deep N-well Implantation on Substrate Noise Coupling and RF Transistor Performance for Systems-on-a-Chip Integration
射频开关常见优化技术——深N阱MOS设计
m0_62489442的博客
10-12 3375
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MOS管衬底电位接法讲究
HI_WALLE的博客
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P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； N-WLL工艺，PMOS的衬底都是一样的，都是N-WELL，因此不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他PMOS的特性，因此PMOS的衬底只能接VDD（高电位）； N-WELL工艺，NMOS管的P衬底都是单独的，因此可以将.
深度学习(Deep Learning)：“Deep”的作用【“Modularization”、“End-to-End Learning”】
u013250861的博客
12-18 598
一、Modularization 1、Universality Theorem 2、“Thin + Tall” v.s. “Fat + Short” 3、“Fat + Short” 模式下 由于有些分类下的数据比较少， “Fat + Short” 模型对数据少的样本的分类训练的不好 4、“Thin + Tall” 模式下 将特征分解，再组合。 5、多层Layer的作用 中间hidden layer 的作用类似于将特征数据值从“低维”→transformer\xrightarrow{transfo
【设计】】MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管
Carol0630的博客
04-18 2万+
参考：MOS管衬底电位接法|PMOS、NMOS衬底连接-KIA MOS管 P-SUB工艺，NMOS 的衬底都是一样的，都是P-SUB，所以不可以将源极和衬底接一块，不然通过衬底短接会影响其他NMOS的特性，因此NMOS的衬底只能接GND（低电位）； P-SUB工艺，PMOS管的N衬底都是单独的，因此可以将源极和衬底接一块来减小衬偏效应； Deep Nwell，是在PSUB工艺情况下，对NMOS管可以采取的一种隔离方式，底部是deep nwell，周围是nwell形成的一个环，来隔离共衬底引起的噪声干扰。 N
Using Deep N Wells in Analog Design
hungtaowu的博客
10-19 3785
原文链接：https://www.planetanalog.com/using-deep-n-wells-in-analog-design/ On a conventional CMOS process (see figure 1), NMOS devices are formed in a P well or substrate connected to ground (or the most negative supply in the circuit). PMOS devices are form
模拟集成电路设计-MOS器件物理基础（模集系列持续更新）
输出每日所学，供大家学习使用
06-01 1811
模拟IC设计之MOS器件物理基础
模拟cmos集成电路（1）
steven_ifv的博客
08-23 2088
nmos 高电压一侧：drain 低电压一侧：source pmos 高电压一侧：source 低电压一侧：drain pmos制作在n阱中（n-well）n阱要接电路中最高电位Vdd 使得PN结截止防止贯通（不同pmos的B可以接不同电位） 现代常用双阱工艺（double-well）即Psub上也制作浅的P阱 也叫做标准cmos工艺 但不同的nmos的bulk（body）端不能接不同的电压（本质上是在同一块P衬底上），可以看作一块wafer上所有的nmos的B是连在一起的。（通常接地） .
可靠性设计之闩锁效应
weixin_52567455的博客
03-23 8477
闩锁效应是cmos工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是由nmos有源区、p衬底、n阱、pmos的有源区构成的n-p-n-p结构，寄生成的两个相关的三极管产生的，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁情况下，器件在电源和地之间形成短路，通过三极管放大电流，造成大电流，EOS(电过载)和器件损坏。是半导体失效的主要原因之一。
Chapter 2 The well
2304_76736886的博客
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第二章讲CMOS制造中的阱，顺带介绍各种层和PN节，因此会介绍各种寄生电容电阻The Substrate 衬底一般CMOS采用P衬底, 这里是直接假设NMOS会直接做在Psub上，PMOS做在N-well里，现在好一点的工艺，PMOS做在Nwell里，而NMOS基本都能做在Nwell包裹着的Pwell，所谓的SOI (Slicon on Insulator)。需要注意接这些阱的电位，一般来说deep-nwell接模拟电源AVDD。
数字集成电路版图设计（附录）——持续补充...
？？？我在哪
04-23 1万+
SMIC13工艺版图设计规则 术语： Width：宽度，最小边长度 Space：一个形状外部到另一个形状外部的距离 Extension：外延，从外边缘到内边缘的距离 Enclosure：外壳 overlap：重叠 length：长度 规则描述 先写一些常用的 DNW区:Deep N-Well design minnima 1、最小宽度 3um 2、两个DNW之间最小space 6um ...
/deep/深度作用选择器作用及使用
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weixin_45842655的博客
12-15 2万+
初始/deep/时百度搜索看了好多人的文章,有些内容不全有些理解错误(仅个人观点) 自己记录下 1.在了解/deep/之前需先了解scoped属性作用 看博文https://blog.csdn.net/weixin_45842655/article/details/103490900或者点我跳转 2.看官方文档 比较全面 https://vue-loader.vuejs.org/zh/guide/...
DNW使用和常见问题
zhou1232006的专栏
09-18 1万+
<br />在使用2410开发板进行开发过程中，DNW是一个经常使用到的工具，这个工具可以实现上传下载文件，烧写文件，运行映像等功能。用户在第一次使用时往往因为不熟悉一些操作的细节，从而出现一些问题。下面把这些问题归纳一下：DNW可以通过USB口把文件下载到板子上，但是第一次使用时，必须在PC机上安装和2410 USB HOST进行通讯的USB驱动，该驱动文件位于光盘的“USB驱动”文件夹内，驱动文件名为secbulk.inf。那何时系统会提示您安装这个驱动呢？首先您需要确信一条串口线已经将PC和2410之
DNW的详细配置及使用过程
MachineEye
05-01 8143
DNW软件是三星公司出品的串口下载工具，嵌入式开发时用来下载文件镜像的。 1.配置DNW     Configuration-〉Options     先进行波特率和COM口的选择，再将下载地址设置为0x50030000. 2.选择Serial Port-〉Connect，如下图状态表示连接成功。
烧写工具DNW的使用
GuDuFengChen的博客
10-20 4719
https://wenku.baidu.com/view/2d4dc0913186bceb19e8bbca.html
dnw和超级终端在嵌入式开发板烧程序的作用
bbs598598的专栏
04-06 4888
超级终端用来和开发板进行实时通讯的，通过超级终端可以实时的知道开发板目前的状态，开发板通过串口和pc通信，将当前开发板的状态反映给开发者，采用的是RS232协议，是一种对等通讯，是可以交互，而dnw主要用于文件传输，是用来下载的，只能将pc上的文件传输到开发板中，采用usb协议，是主从通信的，不能交互。       今天总算是把超级终端搞定了，哈哈！现在就可以用自己的本本玩开发板了。
deep lstm和arrn-lstm的区别
最新发布
11-28
根据提供的引用内容，可以得知LSTM是RNN的一种改进，而DBN是一种概率生成模型。因此，不存在deep lstm和arrn-lstm的区别。或许您想问的是deep lstm和LSTM的区别，或者是LSTM和普通RNN的区别。 如果是前者，那么deep lstm是指多层LSTM网络，而LSTM是指单层LSTM网络。多层LSTM网络可以更好地处理复杂的序列数据，但也更加难以训练和调整参数。 如果是后者，那么LSTM相比于普通RNN，引入了三个门控机制：输入门、遗忘门和输出门，可以更好地处理长序列数据，并且可以避免梯度消失或爆炸的问题。而普通RNN只有一个简单的状态传递，容易出现梯度消失或爆炸的问题。 下面是一个演示LSTM和普通RNN的区别的例子： ```python import torch import torch.nn as nn # 定义一个简单的RNN网络 class SimpleRNN(nn.Module): def __init__(self, input_size, hidden_size, output_size): super(SimpleRNN, self).__init__() self.hidden_size = hidden_size self.i2h = nn.Linear(input_size + hidden_size, hidden_size) self.i2o = nn.Linear(input_size + hidden_size, output_size) self.softmax = nn.LogSoftmax(dim=1) def forward(self, input, hidden): combined = torch.cat((input, hidden), 1) hidden = self.i2h(combined) output = self.i2o(combined) output = self.softmax(output) return output, hidden def initHidden(self): return torch.zeros(1, self.hidden_size) # 定义一个简单的LSTM网络 class SimpleLSTM(nn.Module): def __init__(self, input_size, hidden_size, output_size): super(SimpleLSTM, self).__init__() self.hidden_size = hidden_size self.lstm = nn.LSTM(input_size, hidden_size) self.out = nn.Linear(hidden_size, output_size) self.softmax = nn.LogSoftmax(dim=1) def forward(self, input, hidden): output, hidden = self.lstm(input.view(1, 1, -1), hidden) output = self.out(output.view(1, -1)) output = self.softmax(output) return output, hidden def initHidden(self): return (torch.zeros(1, 1, self.hidden_size), torch.zeros(1, 1, self.hidden_size)) # 定义一个简单的序列数据 input_seq = torch.tensor([[1, 2, 3], [4, 5, 6], [7, 8, 9], [10, 11, 12]]) # 使用RNN进行序列预测 rnn = SimpleRNN(3, 3, 3) hidden = rnn.initHidden() for i in range(input_seq.size()[0]): output, hidden = rnn(input_seq[i], hidden) print(output) # 使用LSTM进行序列预测 lstm = SimpleLSTM(3, 3, 3) hidden = lstm.initHidden() for i in range(input_seq.size()[0]): output, hidden = lstm(input_seq[i], hidden) print(output) ```
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