mos管选型之耗散功率

先说下常见mos选型参数：如：IRLML6401TRPBF 参数

漏源电压（Vdss）	12V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4.3A
栅源极阈值电压	950mV @ 250uA
漏源导通电阻	50mΩ @ 4.3A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.3W
类型	P沟道

vdss:是指栅源电压VGS 为 0 时(此时的mos肯定是截止的），场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。 它具有正温度特性。

Id: 芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流.ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4（选型的主要依据）。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

VGS(th)栅源极阈值电压：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th) 时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道（开始有电流）或关断MOSFET时电流消失时的电压。应用中，常将漏极短接条件下 ID 等于 1 毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低，也就是负温度特性。

RDS(on) 漏源导通电阻:在特定的 VGS (通常为 10V)、结温及漏极电流的前提下, MOSFET 导通时漏源间的最大阻抗.它是一个非常重要的参数,决定了MOSFET导通时的消耗功率.此参数通常会随结温度的上升而有所增大（正温度特性）. 故应以此参数在最高作业结温前提下的值作为损耗及压降计算.

PD最大功率耗散（Ta=25°C）:是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率（也就是损耗）。使用时，场效应管实际功耗应小于 PDM（漏极最大容许耗散功率）并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升有所减额。

注：

MOS的功耗是指MOS在电路应用中的损耗，比如导通损耗，开关损耗等，当然设计及应用的时候这个值一定是远小于MOS管的Pd. MOS管的功耗主要有开关损耗和通态损耗

计算通态损耗的影响。Pcond=Idsrms*Idsrms*RDSon*Dmax，如Idsrms=11A时，Dmax接近100%，RDSon取8豪欧，Pcond约1W。过程:11*11*0.008*100%=0.968W

估算开关损耗。PSW=VDSoff*Idsrms*（tr+tf）*f/2。 例如：tr+tf=600ns，f=15625，VDSoff取24V，PSW=1.24W 

Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时刻.Tr :上升时刻.输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时刻.VDSoff：实际得看mos管的导通曲线。取曲线平均值即可。

 

总的耗散功耗为：Pmos=Pcond+PSW=2.24w。 

 

扩展：

gfs ：跨导。是指漏极输出电流的变化量与栅源电压变化量之比，是栅源电压对漏极电流控制能力大小的量度。 gfs 与 VGS 的转移关系注意看图表