关于mos管的压降问题（项目遇到问题总结）

在研发过程中没有出现问题的板子，到了小批时竟出现雷达一直在触发？？？找了大几天，没有头绪。心中疑惑颇多，加上老板催促，自考等原因，真是压力山大。4月份自考，只有差不多一个月时间了吧，没有什么大的收获，反而在查找硬件问题的过程中，发现了一个自己忽视的一个问题，就是关于Mos管的压降问题。

备考的过程崎岖不平，工作又问题多多，孰轻孰重，如何取舍？从心理来说，不想取舍什么，只是有所得就可以，过不了就过不了呗，已经毕业十五年了，没这个本科文凭不也过来了吗？只是代表了自己在这一段时间的思考，自己兴趣吧，没什么大不了的，关键还是通过工作和学习能使自己的静下心来，思考自己感兴趣的事情。

下面进入正题吧，测试开关mos后电压下降了1V多，本身就是锂电池4.2V的电压算是很低的一个电压，并且是拿这个mos导通之后的电压作为电压比较器的输入电压，当然参考电压是升压再稳压之后，可以不考虑它的变化，按理来说，mos都是m欧级的内阻，压降应该不大才对，为什么会有这么大压降呢？？？电路如下图所示：

查看2301的手册可知在Vgs=2.5V时，导通时，最大电流Id=2.8A，mos的阻值为110m欧。如下图所示：2,8A*0.11=0.3V左右的压降。

实际的应用时，D极是直接拉到了地，所以0V,接近4.5V,压降为2.8*0.090=0.25V,此时的Id也达到了最大值2.8A.

1点几伏的压降，显然是不对的。看后面有个振荡电路，应该是消耗了大量的电流，才造成电压下降的这么厉害。

总结一下：

在栅极施加不同的电压，源-漏极之间就会有电阻的变化。同时，如果要使MOS管作在开关状态，就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。

扩展：mos的其他特性：

场效应管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。