我猜您可能对第四个问题最感兴趣,
可以直接拉到最下面看,如有不明白的地方再回看文章即可
一、去耦电容和旁路电容的区别
两者都是抑制干扰用的 位置不同称呼不同
在电源和数字系统输出信号处就叫去偶电容
在数字系统输入信号处就叫旁路电容
二、去耦电容的基本原理
由于电容阻直通交的特性,加去耦电容到地可以将杂波引流到地
由于容抗值 = 1/(wC) = 1/(2πfC)
因此理论上电容值C越大 去耦滤波效果越好(C值大容抗小 干扰信号更容易通过电容流入地)
三、去耦电容的一般建议添加规则
一般使用一个100nF的陶瓷电容和一个更大值(一般用10uF,可以到几百uF)的电解电容
大电容可以储存更多的能量,用来去耦低频纹波,但是大电解电容高频特性差,而逻辑器件开关频率很高,对于高频干扰陶瓷电容的去耦性质表现的更好
俩电容应靠近器件摆放
四、为何一般都使用多个电容并联?为何大容值的电解电容高频特性差?
因为真实的电容器不仅仅是一个电容 它还有电感特性 电阻特性
选择大容值的电容其电感值也大 而最终的阻抗是由器件的电阻电容电感值综合决定的
参考不同大小容值的实际电容器其阻抗值与信号频率的关系:
可以看到,实际电容器其不同容值对应有不同的最低阻抗频率点
因此我们选用不同值的电容器进行并联,可以达到在各个频率都趋于较低的阻抗,从而有效去耦