HALL永磁体推导

理论与近似推导

永磁体的近似处理

圆柱体永磁铁的磁场分布挺复杂的，很难用比较精确的方式表达磁场强度分布情况，因此我用了一个近似处理的方法，也就是说离磁线中心距离为d的地方的磁场强度是与d成反比的，但是实际上，不仅是d, 因为是有限长的圆柱体，所以距离d，还的考虑距离圆柱体中心的距离。由于我们HALL离柱体底部非常非常近，那就近似的看做是d吧，如下图所示

我们假设HALL离圆柱体磁体的距离是d, 那么hall感受到的磁通量计算公式应该是：

$$G(d) =\dfrac{\rho_{k}*S_{area}}{4*\pi*d}$$
其中 $\rho_{k}$代表磁棒的磁场特性，这和圆柱体磁棒磁量以及圆柱体的大小相关，在这里，我们所有的圆柱体体积类似，因此我认为 $\rho_{k}$这个参数只和圆柱体充磁磁量大小有关。
$S_{area}$是指的HALL传感器芯片的感磁面积，我们可以认为所有同类型得HALL传感器感磁面积都是一样的。也就是说，这个公式最后可以写成：
$$G(d) =\dfrac{\rho_{sensor}}{d}$$ $\rho_{sensor}$就是一个和圆柱体磁铁磁量相关的参量。

那么HALL传感器的测量出来的电压可以这么表达;

$$V(d)=\dfrac{\rho_{sensor}*Sensitive}{d}$$ ,其中 $Sensitive$就是指的线性HALL的灵敏度，比如说 $15mv/GS$

在我们方案中的非线性建模

OK，到这个地方，我们可以利用上面公式进行更具体的计算了。下图给出了原理图，永磁体从0°向120° 移动。目的就是去追踪Magnent的位置。

近似的，我们可以通过两个距离近似的计算出两个HALL的电压变化关系和位置的关系。如下图所示

很容易，我们可以计算出$d_{120°}$(即magnet 和120°HALL的距离），和