STM32F103C8T6芯片FLASH功能详细描述+通用模板+关键代码参数修改解析

巨大蜗牛

已于 2025-03-01 21:31:37 修改

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分类专栏： stm32f103 文章标签： stm32 嵌入式硬件单片机

于 2025-03-01 21:31:24 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/haoyangyun/article/details/145954046

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FLASH模块提供了灵活的非易失存储能力，支持高效的程序存储与数据保存。其保护机制（读/写保护）和选项字节配置增强了系统安全性，而编程与擦除操作的硬件流程需严格遵循时序和电源要求。合理使用FLASH功能，可满足嵌入式系统对代码存储、参数保存及固件升级的核心需求。

1. FLASH存储器容量与结构

容量：STM32F103C8T6内置64KB的FLASH存储器，用于存储用户程序代码和常量数据。
架构：
- 主存储块（Main Memory）：包含64KB的存储空间，分为若干页。对于中容量产品（如C8T6），每页大小为1KB，共64页（0x0800 0000 - 0x0800 FFFF）。
- 系统存储器（System Memory）：位于独立区域（0x1FFF F000起），存储出厂预置的BootLoader程序，用于通过串口/USB等接口下载程序。
- 选项字节（Option Bytes）：位于0x1FFF F800，用于配置芯片的保护机制和功能参数（如读保护、写保护、硬件看门狗等）。

2. FLASH访问模式

CPU直接访问：FLASH支持通过总线接口直接读取数据，CPU可像访问RAM一样读取FLASH中的代码或常量。
编程与擦除：需通过控制寄存器（FLASH_CR）发送特定命令，操作期间CPU暂停执行或等待操作完成。

3. 编程与擦除操作

页擦除：最小擦除单位为1页（1KB），擦除操作将整页数据置为全1（0xFF）。
编程操作：以半字（16位）或字（32位）为单位写入数据。写入前需确保目标区域已擦除。
操作流程：
1. 解锁FLASH：向FLASH_KEYR寄存器写入特定密钥（0x45670123和0xCDEF89AB）以解除写保护。
2. 发送命令：通过FLASH_CR寄存器选择擦除或编程操作。
3. 等待完成：轮询FLASH_SR寄存器的BSY位，直到操作结束。
4. 锁定FLASH：操作完成后重新锁定FLASH_CR寄存器，防止误操作。

4. 保护机制

读保护（RDP, Read Protection）：
- 激活后禁止通过调试接口（如JTAG/SWD）读取FLASH内容。
- 通过选项字节的RDP位配置，解除保护需执行全片擦除。
写保护（WRP, Write Protection）：
- 防止意外修改FLASH内容，可针对特定页设置写保护。
- 通过选项字节的WRPx位配置受保护的页范围。
硬件看门狗：选项字节可配置硬件看门狗在程序启动后自动启用。

5. 选项字节（Option Bytes）

功能配置：
- RDP（读保护级别）：0xAA表示禁用读保护，其他值激活保护。
- USER：配置硬件看门狗、停机/待机模式复位等。
- WRPx：设置受写保护的页范围（如WRP0~WRP3对应不同的页组）。
修改流程：
1. 解锁选项字节（向FLASH_OPTKEYR写入密钥）。
2. 擦除选项字节（触发全片擦除）。
3. 重新编程选项字节并锁定。

6. 关键特性与限制

操作时间：
- 页擦除时间约40ms，半字编程时间约40μs。
- 操作期间需保持电源稳定，否则可能导致数据损坏。
耐久性：FLASH支持约10,000次擦写循环，超出后可能导致存储单元失效。
数据保留：在-40°C至85°C环境下，数据可保存至少10年。

7. 应用场景

程序存储：存放用户代码和常量数据（如查找表、配置参数）。
数据存储：通过编程操作保存运行时数据（需注意擦写次数限制）。
固件升级：结合BootLoader实现远程固件更新。

8.上完整程序模版，复制可用，已详细注释

#include "stm32f10x.h"                  // STM32标准库头文件
#include "stm32f10x_flash.h"            // FLASH库头文件

/*======== 用户配置区 ========*/
#define FLASH_START_ADDR    0x08008000    // FLASH操作起始地址（需对齐页地址）
#define FLASH_PAGE_SIZE     0x400         // 页大小（1KB，STM32F103C8T6中容量型号）
#define FLASH_DATA_SIZE     256           // 待写入数据长度（单位：半字，即16位）

uint16_t flashWriteData[FLASH_DATA_SIZE] = {0x1234, 0x5678}; // 示例数据（需为半字数组）
uint16_t flashReadData[FLASH_DATA_SIZE];                    // 数据读取缓冲区

/*======== FLASH解锁函数 ========*/
void FLASH_Unlock(void) {
    FLASH_Unlock();                      // 解锁FLASH控制寄存器（必须调用）
    FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR); // 清除所有错误标志
}

/*======== FLASH页擦除函数 ========*/
uint8_t FLASH_ErasePage(uint32_t pageAddress) {
    FLASH_Status status;

    // 检查地址是否页对齐（地址必须能被FLASH_PAGE_SIZE整除）
    if (pageAddress % FLASH_PAGE_SIZE != 0) return 1; // 地址错误

    status = FLASH_ErasePage(pageAddress);  // 执行页擦除
    if (status != FLASH_COMPLETE) return 2; // 擦除失败

    return 0; // 成功
}

/*======== FLASH数据写入函数 ========*/
uint8_t FLASH_WriteData(uint32_t startAddr, uint16_t *data, uint16_t len) {
    uint16_t i;
    FLASH_Status status;

    // 检查地址和长度有效性（地址需为偶数字节，长度不超过FLASH容量）
    if (startAddr < 0x08000000 || startAddr + len*2 > 0x0800FFFF) return 1;
    if (len == 0) return 2;

    for (i = 0; i < len; i++) {
        status = FLASH_ProgramHalfWord(startAddr + i*2, data[i]); // 半字写入
        if (status != FLASH_COMPLETE) return 3;                  // 写入失败
    }
    return 0; // 成功
}

/*======== FLASH数据读取函数 ========*/
void FLASH_ReadData(uint32_t startAddr, uint16_t *buffer, uint16_t len) {
    uint16_t i;
    for (i = 0; i < len; i++) {
        buffer[i] = *(__IO uint16_t*)(startAddr + i*2); // 强制转换为半字指针读取
    }
}

/*======== 主函数示例 ========*/
int main(void) {
    uint8_t ret;

    // 1. 初始化系统时钟（需根据实际情况配置）
    SystemInit();

    // 2. 解锁FLASH并擦除目标页
    FLASH_Unlock();
    ret = FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR);
    if (ret != 0) {
        // 擦除失败处理（如记录错误码）
        while(1);
    }

    // 3. 写入数据到FLASH
    ret = FLASH_WriteData(FLASH_START_ADDR, flashWriteData, FLASH_DATA_SIZE);
    if (ret != 0) {
        // 写入失败处理
        while(1);
    }

    // 4. 锁定FLASH以防止意外修改
    FLASH_Lock();

    // 5. 验证数据：读取FLASH并比较
    FLASH_ReadData(FLASH_START_ADDR, flashReadData, FLASH_DATA_SIZE);
    if (memcmp(flashWriteData, flashReadData, FLASH_DATA_SIZE*2) != 0) {
        // 数据校验失败处理
        while(1);
    }

    while(1) {
        // 主程序逻辑（如使用存储的数据）
    }
}

9.关键参数详解

FLASH_START_ADDR
- 操作地址：必须为页对齐地址（如0x08008000），建议避开程序代码区（通常从0x08000000开始存放程序）。
FLASH_PAGE_SIZE
- 页大小：STM32F103C8T6为中容量型号，页大小为1KB（0x400）。高容量型号（如1MB FLASH）页大小为2KB。
FLASH_ProgramHalfWord
- 写入单位：STM32 FLASH仅支持半字（16位）或字（32位）写入，需避免单字节操作。
FLASH_FLAG_EOP
- 操作完成标志：每次FLASH操作（擦除/写入）完成后需检查此标志，或调用FLASH_ClearFlag清除。

10.功能说明

安全解锁/锁定：通过FLASH_Unlock()和FLASH_Lock()防止误操作，确保数据安全。
页擦除管理：擦除最小单位为1页，擦除后所有位变为1（0xFFFF）。
数据校验：写入后通过memcmp比对数据完整性，防止写入错误。
错误处理：函数返回错误码，便于调试和异常恢复。

11.使用流程

配置起始地址：确保FLASH_START_ADDR位于用户FLASH区域（非代码区）。
数据对齐：写入数据需为半字数组（16位对齐），地址必须为偶数。
操作顺序：必须按解锁→擦除→写入→锁定的顺序操作，否则会触发硬件错误。
功耗管理：FLASH操作期间需保持稳定电源，避免电压跌落导致数据损坏。

12.注意事项

中断处理：FLASH操作期间需禁用全局中断（__disable_irq()），防止打断关键操作。
擦写次数：FLASH典型擦写寿命约10,000次，频繁操作需配合磨损均衡算法。
写保护：通过选项字节（Option Bytes）可设置页写保护，防止误擦除关键数据。
代码保护：启用读保护（RDP）后，调试器无法读取FLASH内容，需谨慎操作。

13.选项字节配置示例

void FLASH_ConfigureOptionBytes(void) {
    FLASH_Unlock();                             // 解锁FLASH
    FLASH_OB_Unlock();                          // 解锁选项字节

    FLASH_OB_Erase();                           // 擦除选项字节（触发全片擦除！）

    // 配置读保护级别（RDP Level 1：启用保护）
    FLASH_OB_RDPConfig(OB_RDP_Level_1);

    // 配置硬件看门狗（上电后自动启用）
    FLASH_OB_USERConfig(OB_IWDG_SW, ENABLE);    // 启用硬件看门狗

    FLASH_OB_Launch();                          // 应用选项字节配置
    FLASH_Lock();                               // 锁定FLASH
}