【DDR 终端稳压器】Sink and Source DDR Termination Regulator [B]

正式从这里开始

TI 的选型；

tps54116-q1

tps51200a-q1

TPS53317

典型电路

pin	功能
EN	对于 DDR VTT 应用，请将 EN 连接到 SLP_S3 对于任何其他应用，请使用 EN 作为 ON/OFF 功能 始终保持 EN 电压等于或低于 VIN 电压
GND	信号接地 连接到输出电容器的负极引脚
PGND	LDO的电源接地输出
PGOOD	稳压指示
REFIN	参考输入
REFOUT	参考输出。通过 0.1μF 陶瓷电容器连接到 GND。如果 DDR 侧有 REFOUT 电容，请将 REFOUT 引脚上的总电容保持在 1 μF 以下。 REFOUT引脚不能断开。
VIN	2.5V 或 3.3V 电源 需要一个值介于 1μF 和 4.7μF 之间的陶瓷去耦电容器。
VLDOIN	LDO的电源
VO	LDO的功率输出。至少需要 20μF 的电容。无最大电容限制
VOSNS	LDO的电压检测输出。连接到输出电容器或负载的正极引脚
Thermal Pad	热焊盘

pin	功能
GND	信号地
PGND	VTT LDO 功率地
S3	S3信号输入
S5	S5信号输入
VDD	信号地
VDDQSNS	VDDQ电压监测 VTTREF输入
VLDOIN	VTT/VTTREF 电源输入
VTT	VTT LDO 的功率输出需要连接 10μF 或更高的 MLCC 以确保稳定性。VTT 输出电容没有最大限制。
VTTREF	VTTREF 缓冲基准输出。连接到 0.22μF 和 1μF 之间的 MLCC 以实现稳定性。VTTREF 引脚不能开路。
VTTSNS	VTT LDO 电压监测
Thermal Pad	热焊盘