DCDC基础（8）-- 同步BUCK芯片的电性能参数解读二

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4. 电源良好指示

a. PG灌电流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA；

Sink Current即灌电流的意思，是数字电路的表示方式，电流方向指向芯片IO，与Souce Current 拉电流相对应。

按照我的理解，对于MOS管而言，灌电流就是漏极电流 Id，正常来说MOS管的漏极电流 Id远远超过4mA，但是为了满足逻辑要求，如上图所示，CMOS输出最大低电平必须小于输入最大低电平，即VOL(max)<VIL(min) 。

我去搜了一下STM32F103C8T6的关于灌电流的描述，对于8路I/O口同时输出低电平时，VOL<0.4V @ IIo=8mA才能满足逻辑0的要求，和这边PG灌电流能力Vpg-sink=300mV@sink current=4mA表达的是一个意思。

PG为OD门输出，为了响应芯片内部的一些安全机制或者通过逻辑芯片连接到MCU/CPU的RESET引脚从而对系统进行控制，设计时需外接上拉电阻到VCC，MP4572芯片的VCC=4.9V。

因此这个参数指的是sink current < 4mA，VCC=4.9V时，外接上拉电阻R9 > VCC/sink current=1.25kΩ，典型应用推荐是100kΩ。

b. PG上升/下降延时分别为70us/25us；

c. PG漏电流典型值为10nA；

VIN=24V，EN=0时，PG输入漏电流为10nA，此参数对于低功耗应用静态电流的计算尤为重要。

d. PG上升阈值/下降阈值  

Vref=0.8@25℃

单从表格看，确实有点混乱，需要去掉一个参数Vref，将PG上升和下降阈值和VFB联系起来，而VFB又是通过电阻对VOUT分压得到，所以PG与VOUT状态紧密相关。

PGRISING

① VFB / Vref =90% @ VFB rising     ,VFB=0.72V

② VFB / Vref =108% @ VFB falling  ,VFB=0.864V

PGFALLING

③ VFB / Vref =84% @ VFB falling    ,VFB=0.672V

④ VFB / Vref =116% @ VFB rising   ,VFB=0.928V

因此 ：  

0.72V<VFB<0.864V时，PG发生上升沿跳变。

VFB<0.672V & VFB>0.928V时，PG发生下降沿跳变。