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最新推荐文章于 2023-11-04 16:31:05 发布

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分类专栏：集成电路文章标签： IC

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1、ECO：engineering change order，工程修改。在数字集成电路设计中指变更设计后不用重新布局布线，而允许通过手工删减或添加连线来更新版图。可以大致分为logic ECO和physical ECO,前者主要是修改或者改进电路的逻辑功能，后者是修改电路的物理实现以满足各种约束要求。另外还可以分为pre MASK和post MASk阶段的ECO。pre MASk阶段的ECO是在tape-out前，此时进行ECO较为容易。post MASK阶段的ECO是tape-out后，如果有设计问题需要进行修改，工厂会让一个批次的晶圆，一部分流片至完成，一部分则停止继续流片，生长金属线，待设计方提出修改方案后继续进行修改。此时可利用的资源较少，poly层已经生产完毕。只能利用在设计时留出的多余的cell进行布线。但有可能会不满足芯片的timing。

贴上一个生动的描述：

https://zhuanlan.zhihu.com/p/20914909

2、IMD（inter metal dielectric）：集成电路包含多层金属，例如1P9M，是指一层poly，九层金属。poly层就是我们通常所说的硅晶圆经过各种掺杂之后生成的不同的晶体管。金属层就是在后端设计中，通过布局布线形成的结构。金属层之间是IMD材料，即inter metal dielectric（金属层介质）。是一种low-k材料（低介电常数材料），产生的电容值低，可以减小分布电容，对于降低互连线延迟时间起到重要作用。但是该材料击穿电压低，对器件可靠性也有一定影响。

https://wenku.baidu.com/view/a358d532eefdc8d376ee3281.html

3、IR drop

理论设计假设电源为理想电源，能够在瞬间给芯片所有macro和门单元提供足够的电流，使芯片上的电压保持稳定值。IR drop是输入输出接口到芯片内部各点电势的差值。电压降有内部节点的电源电压低于供电凸点的电压降和内部节点电压高于供电凸点的“地弹”。随工艺的逐渐缩小，金属线的宽度越来越小，其电阻值愈来愈大，寄生效应越来越明显。IR drop随之增加。

IR drop与芯片的供电网络和封装形式有关。从电源PAD到所计算逻辑门之间等效电阻的大小也影响IR drop的大小。如果金属连线上的逻辑单元同时反转，将导致很大的IR压降。但同一时钟控制的逻辑单元，会在同一时间进行翻转，因此，IR drop是不可避免的。IR drop有局部现象和全局现象。局部现象是指，相邻位置一定数量的逻辑单元同时发生翻转，造成IR drop。全局现象是指，某一区域的翻转对其它区域造成IR drop。

IR drop一般表现为时序或者信号完整性问题。如果有局部IR现象，在特定条件下，例如当多个逻辑计算单元同时发生翻转时，会产生IR drop，使芯片功能间歇性失效。当有全局IR现象时，芯片功能彻底失效。而IR压降比较普遍的影响就是降低了芯片的速度。试验表明，逻辑门单元上5%的IR压降将使正常的门速度降低15%。

IR drop分析在后端中是signoff中重要的一环。业界分析sign off主要使用redhawl工具。

IR Drop分析之Redhawk分析流程 https://baijiahao.baidu.com/s?id=1597277739015443862&wfr=spider&for=pc

4、RC延时计算

RC的延时计算可用如下公式：

$T=-R*C*ln((E-V)/E)$

其中，E是电容和电阻之间电压，V是电容的电压，R是电阻，C是电容

5、信号完整性

信号完整性（Signal Integrity）：是指信号在传输线上的传输质量。在到达接收端时，可以达到要求的时序、电压幅度和电流持续时间。信号完整性包括：时序完整性(timing integrity)、波形完整性(waveframe integrity)、电压完整性(power integrity)。信号完整性分析就是指：利用最小的成本和最快的时间达到三个完整性。

信号完整性的噪声源主要包括：

1、单一网络的信号质量

2、多网络间的串扰

3、电源与地分配中的轨道塌陷

4、来自整个系统的电磁干扰和辐射

信号完整性主要表现在延迟、反射、串扰、时序、振荡等几个方面。

反射：Z是走线的阻抗。阻抗不同，会得到不同的反射和延时，影响信号完整性。

反射率： $p=(Z2-Z1)/(Z2+Z1)$