《炬丰科技-半导体工艺》 玻璃薄化蚀刻

本文详细介绍了《炬丰科技-半导体工艺》中关于玻璃薄化蚀刻的研究。研究提出了一种新的湿法腐蚀技术,主要探讨了含氟化合物(HF、NH4F、NH4HF2)与硫酸或硝酸混合酸溶液对玻璃薄化的影响。实验表明,NH4HF2与硫酸的组合能有效提高蚀刻速度且蚀刻后玻璃表面状态良好。通过添加阴离子表面活性剂,解决了蚀刻过程中污泥附着的问题,保持了玻璃表面的清洁。使用特定的湿法蚀刻试验装置,成功将无碱玻璃和钠钙玻璃蚀刻至100 µm以下,为大规模玻璃薄板化提供了解决方案。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:玻璃薄化蚀刻
编号:JFKJ-22-1704
作者:华林科纳

本研究探索了一种新的湿法腐蚀方法和减薄厚度在100 µm以下玻璃的解决方案,为了用低氢氟酸制备蚀刻溶液,使用NH4F或nh4hf 2作为主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的,研究了混合酸溶液的组成和温度对腐蚀速率的影响,阴离子表面活性剂的加入提供了防止由蚀刻反应产生的淤渣粘附的功能,一种新的配备有流动发生部件的湿法蚀刻试验装置被用于测试商用无碱玻璃和钠钙玻璃的蚀刻,通过使用中试装置,将厚度为640µm的无碱玻璃和厚度为500 µm的钠钙玻璃分别蚀刻至45 µm和100 µm,在通过中试装置进行蚀刻之后,玻璃表面的粗糙度保持在0.01∼0.02 µm,本研究为大幅度降低氢氟酸的浓度,制备了加入NH4F、NH4HF2等含氟化合物及硫酸、硝酸等的混酸溶液,与现有氢氟酸基蚀刻溶液相比,不仅探讨了蚀刻速度,还探讨了蚀刻后的拟玻璃外观状态、表面照度等。作为将大型玻璃薄板化到100µm以下的新系统,制作了淤积水流方式的导风装置,并对其性能进行了探讨。
烧杯实验采用40×50mm尺寸切割LCD用无碱玻璃,以简单沉积方式探讨了蚀刻溶液的组成及温度的影响,将制备的昵称溶液200 mL装入塑料材质的烧杯中,将玻璃沉积于装有蚀刻溶液的烧杯中,蚀刻1020分钟,实验中,为了去除玻璃表面的污泥,每隔23分钟摇晃玻璃。
为了保持恒温,把烧杯放在恒温箱里做了实验,蚀刻一段时间后,将玻璃从烧杯中取出,用蒸馏水清洗,并擦拭玻璃表面不留污渍,用肉眼检测了蚀刻后玻璃表面的波浪、划痕、英尺、污渍等,使用表面照度仪测量表面照度,另一

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