《炬丰科技-半导体工艺》超薄单晶硅微结构

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：超薄单晶硅微结构

编号：JFKJ-21-695

作者：炬丰科技

网址：半导体工艺资料_半导体清洗工艺_湿法腐蚀工艺_氮化硅的湿法腐蚀_湿法腐蚀工艺参数_炬丰科技

摘要

本文讨论了利用硼离子注入、快速热退火和硼蚀刻停止制备MEMS应用的亚微米p++微观结构。为了形成这些薄结构，硅以40keV的能量注入硼，剂量为5x1015cm-2和7xl015cm2，产生的峰值浓度超过1020cm-3，足以在EDP中实现有效的蚀刻。p++层的厚度从0.2到0.3µm取决于退火时间和温度许多微结构，包括侧面大至2mm的薄硅膜片和0.2µm厚的、TCR为-1600ppm/°C的热线风速计和压阻声探测器，具有高重现性、均匀性和产率。