引言
为了评估用各种程序清洗和干燥的晶圆表面的清洁度,我们通过高灵敏度的大气压电离质谱(APIMS)成功地分析了这些晶圆表面的排气量。特别是,通过将晶片表面的解吸气体引入APIMS,研究了IPA蒸汽干燥后异丙醇(IPA)的解吸和晶片中的水分。结果表明,在这些实验条件下,定性和定量的微量杂质小至单分子吸附层的1/10。结果证实,湿化学过程和干燥方法对晶片表面条件的影响。
本文介绍在硅片上吸附分子的分析结果。为了估计湿式化学处理后的微污染,表面分析是通过用大气压力电离质谱(APIMS)测量来自晶片表面的解离气体来进行的,它显示出极好的灵敏度(1ppb到低于0.01ppb)。APIMS不仅具有高灵敏度,而且能够连续检测杂质,因此可以以高分辨率监测工艺气体中微量杂质含量的动态变化。
实验
为了研究杂质分子在超薄载流子气体环境中加热从晶圆表面的解吸,将晶圆表面的解吸气体与载流子气体一起运输,并引入APIMS分析仪的离子源。图1为实验装置的示意图。它由气体供应系统、具有金属配件的加热室、护套加热器和分析设备(APIMS)组成。为了对从晶片表面剥离的微量杂质进行可靠的分析,我们利用超精益技术的概念构建了整个油管系统。