氧化硅湿蚀刻中枝晶状缺陷的去除方法

引言

我们观察到半导体制造过程中光刻胶掩模氧化硅湿法刻蚀过程中形成新的树枝状缺陷(DLD)。树突是分枝状晶体，表现出显示晶体方向性的形态特征，如直的初生茎、次生侧臂，甚至第三纪分枝。当非多面材料从过冷熔体或过饱和溶液中生长时，通常会观察到树枝状晶体，其特征是光滑的抛物线状尖端和尖端后面的侧枝。通过许多分析和实验，现已认识到表面张力和/或原子附着动力学中的各向异性对于稳定尖端区域防止尖端分裂起着重要作用。

大多数关于微电子器件制造过程中枝晶形成的报道主要与金属腐蚀反应有关，因为在微电子器件阴极/阳极结构的腐蚀反应过程中，溶解的金属离子如铝、银或铜的减少会导致金属枝晶的成核和生长。然而，关于半导体加工中湿法刻蚀过程中枝晶形成的报道非常有限。在本文中，我们指出了在半导体制造过程中PR掩模氧化硅湿法刻蚀后检测到的一种新型枝晶状缺陷(DLD)及其去除方法。

实验

图1a展示了一个典型的带有PR掩模的氧化物湿法刻蚀工艺，其中单元阵列中的氧化物隔离层被稀释HF (dHF)的湿法化学腐蚀，而核心/外围区域中的氧化物隔离层被KrF PR图案(b)阻挡。在使用具有单晶片清洁剂的足够的湿蚀刻剂去除氧化物隔离物后，300毫米晶片被用去离子水冲洗(DIW)并通过以高转速连续旋转