氢氧化钾腐蚀单晶硅片蚀刻速率的研究

本文研究了用金刚石线锯切和标准浆料锯切制成的180微米厚5英寸半宽直拉单晶硅片与蚀刻时间的关系，目的是确定FAS晶片损伤蚀刻期间蚀刻速率降低的根本原因，无论是与表面结构相关，缺陷相关，由于表面存在的氧化层，还是由于有机残差。

通过采用研磨和离子研磨的方法制备了横截面透射电镜样品，反射率测量是使用基于光纤，光学排列进行的，利用日立S-4800扫描电子显微镜(SEM)、200keVJEOL2010F透射电子显微镜(TEM)和表面成像系统公司的原子力显微镜(AFM)对其表面结构进行了研究。

图1

图1显示了在75°C下不同浓度氢氧化钾泥浆切割晶片的厚度减少和表面反射率随蚀刻时间的变化，氢氧化钾浓度在20-30%左右的蚀刻率最大。另外反射率的最初下降是由于微裂纹的开口，这增强了表面的纹理。图2是在75°C下不同浓度氢氧化钾下FAS切割晶片的厚度减少和表面反射率随蚀刻时间的关系，FAS切割晶片的蚀刻速率显示出与浆液切割晶片相同的行为，由于表面上不存在微裂纹，因此表面反射率的初始降低并不那么明显。

图2

通过比较浆料切割晶片和FAS切割晶片的厚度减少情况，FAS切割晶片在初始时间为5-10分钟内的蚀刻率较低，这在另外图中得到了阐明，其中绘制了当氢氧化钾浓度分别为30%和47%时，浆液和FAS切割晶片的厚度减少图，对于超过大约10分钟的蚀刻时间，