湿蚀剂通过光刻胶渗透的研究

华林科纳123

于 2022-04-06 18:30:00 发布

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文章标签：趋势科技

本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn123/article/details/123987972

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本文探讨了湿蚀刻剂如何通过光敏抗蚀剂影响材料，重点关注抗蚀剂保护的完整性和湿法蚀刻过程中材料的潜在退化。研究发现，湿蚀刻剂的性质、抗蚀剂厚度以及材料/抗蚀剂界面的处理对材料保护至关重要。提出了新的无损检测方法，如非接触C(V)测量，以精确评估湿法图案化的工艺窗口。

摘要由CSDN通过智能技术生成

引言

本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。

实验

这里测试的所有聚合物都是248纳米深紫外线商用光敏抗蚀剂。选定的湿蚀刻剂取决于要蚀刻掉的材料。SC1(标准清洁1)在室温下以1 / 4 / 27的比例(NH4OH / H2O2 / H2O)用于蚀刻TiN膜。测试的氮化钛薄膜厚度为7纳米，由PVD公司沉积。氢氟酸或BOE(缓冲氧化物蚀刻剂)用于二氧化硅。BOE比是1 / 7 / 160 (HF / NH4F / H2O)，在样品中仅使用了热氧化物。湿法蚀刻系统由300毫米旋转干燥单晶片工具或浸没式批量工具组成。非接触C (V)(电容(电压))测量在来自Semilab的FAaST工具上进行。