通过表面分析评估 Cu-CMP 工艺

引言

半导体装置为了达成附加值高的系统LSI，需要高集成化，高速化，这其中新的布线材料，绝缘膜是不可缺少的。其中，具有低电阻的Cu，作为布线材料受到关注。化学机械抛光（CMP）和之后的清洗是Cu布线形成中不可缺少的过程，CMP中使用的浆料、清洗液的性能在很大程度上左右了布线的形成。

在本文中对进行了CMP和后清洗的晶圆表面进行分析表面分析的Cu―CMP工程的评价。

Cu-CMP工序

Cu布线是通过双镶嵌法形成的。双镶嵌法是在一次性制作布线沟和布线孔之后，通过电镀法等嵌入Cu的方法。后清洗液必须除去用CMP削去的Cu和其他成为污染原因的物质，保护裸露的布线Cu。颗粒有泥浆的磨粒，被研磨过的布线Cu和垫的研磨碎屑，离子性杂质有Cu和泥浆中的添加剂产生的络合离子等。以往在去除颗粒时使用氨水，在去除离子性杂质时使用氢氟酸。但是，由于Cu被氨水和氢氟酸腐蚀，所以需要完全不同的清洗液。另外，还要求废液处理容易，对环境的负荷低，作为清洗液，开发了电解离子水、臭氧水和抑制有机酸、Cu腐蚀的碱性清洗液等。

测定方法

在Cu-CMP工艺的确立，浆料，后清洗液的开发中，把握实际工艺中残留在晶圆表面的添加剂和布线Cu的腐蚀是很重要的。在TOF―SIMS中，用Ga离子照射晶圆，通过检测产生的离子，得到存在于极表面的物质的质谱。根据分子量，光谱模式推定化合物（图3）。

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