化学机械抛光后刷洗的理论分析

摘要

化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径为0.1和1.0m的氧化铝颗粒粘附在抛光二氧化硅和铜表面的模型系统。结果表明，流体力学力量可以去除部分粘附颗粒，但必须发生刷状颗粒接触才能去除所有的粘附颗粒。

理论

粘附/移除模型：在得出任何关于粒子去除的结论之前，有必要了解在水动力流场中作用于粒子的力。图1显示了一个直径为d的可变形颗粒，它粘附在运动流体中的表面上。在该模型中，粘附力(FA)、阻力(FD)和升力(FL)力和外部表面应力矩(MD)是通过粒子暴露区域的中心起作用的。 这些力与接触半径(a)之间的关系，由于变形导致的粒子与表面之间的相对接近值a，和表面粗糙度ε，必须被理解为正确地描述颗粒的去除。

图1 粘性粒子和相关力的示意图

分析

系统和条件：一般来说，cmp后的清洁将包括从各种表面去除各种颗粒尺寸和材料。不对称的氧化铝颗粒，尺寸为0.1和1.0mm，粘附在具有抛光二氧化硅表面的200毫米晶片上作为代表系统。为了进行比较，还考虑了不对称的氧化铝颗粒粘附在类似的晶片上，但与铜表面。类似于图中所示的单面、圆盘型刷式洗涤器的流体流动。 表一显示了所考虑的商业刷式洗涤器的典型操作条件。