书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积
编号:JFKJ-21-286
作者:炬丰科技
摘要
本文综述了极性氮化镓(GaN)表面、表面处理和表面处理的相关文献综述了与金属氧化物半导体器件相关的栅介质。研究了氮化镓生长技术和生长参数对氮化镓性能的重要意义 利用原位和非原位工艺修改氮化镓表面性质的能力以及氮化镓金属氧化物半导体的认识和性能研究进展(MOS)器件的介绍和讨论。分析缺陷集中的挑战和GaN MOS栅极堆的能量进行了讨论
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》
文章:氮化镓金属氧化物的表面制备和栅极氧化物沉积
编号:JFKJ-21-286
作者:炬丰科技
摘要
本文综述了极性氮化镓(GaN)表面、表面处理和表面处理的相关文献综述了与金属氧化物半导体器件相关的栅介质。研究了氮化镓生长技术和生长参数对氮化镓性能的重要意义 利用原位和非原位工艺修改氮化镓表面性质的能力以及氮化镓金属氧化物半导体的认识和性能研究进展(MOS)器件的介绍和讨论。分析缺陷集中的挑战和GaN MOS栅极堆的能量进行了讨论