《炬丰科技-半导体工艺》硅基氮化镓发光二极管的减薄缓冲层

jfkj2021

于 2021-12-10 16:37:38 发布

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文章标签：发光二极管

本文链接：https://blog.csdn.net/jfkj2021/article/details/121859358

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本文介绍了《炬丰科技-半导体工艺》中关于硅基氮化镓发光二极管的研究，强调了使用薄缓冲层技术在提高外延工艺效率和降低成本方面的优势。这种技术有助于减少晶片开裂，且硅上氮化镓技术可实现与其他半导体元件的集成。实验结果显示，通过改进工艺，实现了与蓝宝石基设备相当的性能，降低了宁滨和分拣成本，提高了制造产量，且器件的可靠性和光输出功率显著提升。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅基氮化镓发光二极管的减薄缓冲层
编号：JFKJ-21-1147
作者：华林科纳

通过改进其铟镓氮化物硅发光二极管技术，这些结果代表了第一个使用薄缓冲层技术的普通照明级高亮度氮化镓硅发光二极管，该技术能够实现更快的外延工艺产量和降低的制造成本，而人工可行性结果证明了其作为现有蓝宝石技术的潜在替代品的可行性。此外，使用硅上氮化镓技术还可以集成双极晶体管、齐纳二极管和硅光电二极管，但生产无裂纹外延层仍具有挑战性。

相比之下，生长在蓝宝石上的氮化镓缓冲层具有更小–34%的不匹配，在冷却时压缩表层，这也有利于抑制开裂。研究人员报告说:“器件加工是在晶圆厂进行的，而晶圆厂曾经是一条贬值的互补金属氧化物半导体生产线。该设施允许使用诸如盒对盒晶片处理和半自动步进光刻等系统，这大大提高了工艺产量。”光刻步进工具等自动化处理设备的全面实施需要控制晶片弯曲。

发光二极管外延材料(图1)生长在150毫米的硅(111)晶片上，使用~ 1000°C金属有机化学气相沉积(MOCVD)，基底厚1毫米，氮化铝成核层和分级铝镓氮化物缓冲层分别为200纳米和600纳米，无意掺杂的氮化镓(i-GaN)缓冲层由缓慢生长的800纳米层，用于从高缺陷AlGaN中恢复结晶度，以及氮化硅中间层，用于随后的i-GaN薄层的过度生长。

在这里插入图片描述
图1