《炬丰科技-半导体工艺》马兰戈尼干燥过程中晶圆接触痕污染处理方法

最新推荐文章于 2024-10-17 09:37:04 发布
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《炬丰科技-半导体工艺》探讨了马兰戈尼干燥过程中硅晶圆接触痕污染的问题。文章提出，接触痕污染与晶圆和接触区域的保水性有关，并提出毛细管引流技术作为解决方案。实验结果显示，该方法能有效吸收晶圆片/梳状片接触处的水滴，改善干燥效果。
摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：马兰戈尼干燥过程中晶圆接触痕污染处理方法

编号：JFKJ-21-282

作者：炬丰科技

  硅晶圆在马兰戈尼干燥过程中接触痕污染严重与晶片与接触区域的保水有关在晶圆/夹持片上形成保水性 接触是用概念模型来处理的。一个技术提出了采用毛细管引流的方法来解决接触问题 。

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