半导体制造中硅片的干燥技术

摘要

在半导体制造的干燥工艺中，水印抑制是重要的课题，对此，IPA直接置换干燥是有效的。水印的生成可以通过三相界面共存模型进行说明。另外就马兰戈尼效果进行说明。

半导体制造中的表面干燥技术

个人计算机在普通家庭的普及和随着互联网等基础设施建设的完善需要大内存和高速CPU。与此相对，现在晶体管 结构框架中的解是微细化、高集成化。存储单元的微小化使存储容量的大容量化成为可能，布线的微小化会带来时钟频率的提高和低功耗化。在半导体制造工艺中，表面的清洁保持清洁度是重要的。应该管理的污染物作为物质，除粒子外，还有有机成分、金属、自然氧化膜。

干燥方法的变迁

首先，从封入晶圆的容器的下部导入纯水进行冲洗。水洗后，一边排出纯水一边排 出IPA 从容器上部安静地导入蒸汽。IPA是纯水从表面扩散，在水的最表面形成IPA层。在该状态下，相对降低液面后，晶片表面的接触物质按照100%的纯水- 含有低浓度IPA的纯水t含有高浓度IPA的纯水-液相 IPA-气相IPA的顺序不断变化。结果，得到了没有水滴残留的表面，不产生水印。

水印的生成机制

水印可以认为是被表面捕获的水滴在物理或化学蒸发的过程中形成的Si02xh2oo该主要构成要素。在三相界面共存模型中，Si来