嵌入式知识框架之二-常用存储器件

编写Linux设备驱动要求之一就是工程师有非常好的硬件基础，懂得

• SRAM
• Flash
• SDRAM
• 磁盘

的读写方式。UART、I 2 C、USB等设备的接口以及轮询、中断、DMA的原理，PCI总线的工作方式以及CPU的内存管理单元（MMU）等。

存储器分类 

储存器分为易失性和非易失性存储器。易失性存储器：断电无记忆，数据丢失，因为制造这种存储器使用的电子元器件是电容和晶体管，其在没有电的情况下，漏电导致电荷丢失，数据也就丢失了，使用时，要用一定的电流频率去刷新电容器；非易失性存储器：掉电数据仍然存在，可永久长期保存，不需要电流刷新。

•  非易失性存储器

 非易失性存储器分为只读储存器（ROM）、闪存（Flash）、光/磁介质储存器。

ROM（按制造时间顺序）

• ROM->PROM->EPROM->EEROM（常用）

Flash

• NORFlash（intel）（不需要控制电路转换，其与SRAM接口相同，直连CPU）
• NANDFlash（东芝）（需要控制电路电路转换）

光磁介质存储器

 ROM发展历史

        在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。

       由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢。 

        EPROM由以色列工程师Dov Frohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片——即非易失性的（非挥发性）。它是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。EPROM（Eras-able Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。

        由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electric-ally Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容

        Intel于1988年首先开发出NOR Flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash结构，每位的成本被大大降低。

•  易失性存储器

易失性存储器分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）

        DRAM以电荷形式进行存储，数据存储在电容器中。由于电容器会因漏电而出现电荷丢失，所以DRAM器件需要定期刷新。SRAM是静态的，只要供电它就会保持一个值，SRAM没有刷新周期。每个SRAM存储单元由6个晶体管组成，而DRAM存储单元由1个晶体管和1个电容器组成。

另外还有特定类型RAM：

1. DPRAM：双端口RAM/三端口RAM，有2/3个访问口，可连接2/3个CPU
2. CAM：内容寻址RAM，专用于数据检索，硬件层面上的。输入内容，输出地址和匹配标志
3. FIFO：先进先出队列，一次读取一个字节，n个字节全部读出，需要读取n次。

使用方面 ：
        速度上：SRAM  > SDRAM; 成本上：SRAM > SDRAM, 因此通常SRAM作为告诉缓存Cache，SDRAM作为主存，比如2440中SRAM用于NANDFlash启动中，启动时将NANDFLASH的前4kB内容拷贝到SRAM中，这4k内容的执行将NANDFlash的内容拷贝到SDRAM中，SDRAM有足够的空间来容纳程序。SRAM的引导功能结束之后，会作为其他功能部件使用。

总结：

RAM可以不按照顺序读写， 且可以直接读写；存储器件一般可以直接读，不可以直接写，写的话需要一些解锁操作，若是可以直接写就和RAM没有区别了，起不到保护数据的作用。NORFLASH有独立的数据和地址线，且可以作为内存运行程序可以直接读（NANDFlash读也需要特殊操作），写也要一些特殊操作，因为NORfla是存储器件，为保证数据不会丢失或破坏，这个操作是有必要的。