日常笔记之DDR

DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍SDRAM)。DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出，由日本电气、三菱、富士通、东芝、日立、德州仪器、三星及现代等八家公司协议订立的内存规格，并得到了AMD、VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本，因此也称为「SDRAM II」。

DDR是现在的主流内存规范，各大芯片组厂商的主流产品全部是支持它的。DDR全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。DDR的标称和SDRAM一样采用频率。现在DDR运行频率主要有100MHz、133MHz、166MHz三种，由于DDR内存具有双倍速率传输数据的特性，因此在DDR内存的标识上采用了工作频率×2的方法，也就是DDR200、DDR266、DDR333和DDR400，一些内存生产厂商为了迎合发烧友的需求，还推出了更高频率的DDR内存。其最重要的改变是在界面数据传输上，他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理，使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同，仅在时钟上升沿传送。

工作原理：

DDR SDRAM模块部分与SDRAM模块相比，改为采用184针(pin)，4～6 层印刷电路板，电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM模块相同。DDR SDRAM模块一共有184个接脚，且只有一个缺槽，与SDRAM的模块并不兼容。 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的，例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则，例如PC1600以及PC2100，单位 MB/s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格，数据传输量为 1600MB/s(64bit×100MHz×2÷8=1600MBytes/s)，而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8=2128MBytes/s)。

DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL；CAS Latency，CL是指内存在收到讯号后，要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好，不过这还要看内存颗粒的原始设定值，否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79)：DDR SDRAM一共有两种CAS延迟，分为2ns以及2.5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A，而较慢的 CL= 2.5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外，较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。

DDR的核心频率、时钟频率和数据传输频率：

核心频率就是内存的工作频率；DDR1内存的核心频率是和时钟频率相同的，到了DDR2和DDR3时才有了时钟频率的概念，就是将核心频率通过倍频技术得到的一个频率。数据传输频率就是传输数据的频率。DDR1预读取是2位，DDR2预读取是4位，DDR3预读取是8位。如图所示：

DDR时序图：

DDR内存芯片的内部结构图：

这是一个128Mbit的内存芯片，从图中可以看出来，白色区域内与SDRAM的结构基本相同，但请注意灰色区域，这是与SDRAM的不同之处。首先就是内部的L-Bank规格。SDRAM中L-Bank 存储单元的容量与芯片位宽相同，但在DDR SDRAM中并不是这样，存储单元的容量是芯片位宽的一倍，所以在此不能再套用讲解SDRAM时 “芯片位宽=存储单元容量” 的公式了。也因此，真正的行、列地址数量也与同规格SDRAM不一样了。

以本芯片为例，在读取时，L-Bank在内部时钟信号的触发下一次传送8bit的数据给读取锁存器，再分成两路4bit数据传给复用器，由后者将它们合并为一路4bit数据流，然后由发送器在DQS的控制下在外部时钟上升与下降沿分两次传输4bit的数据给北桥。这样，如果时钟频率为100MHz，那么在I/O端口处，由于是上下沿触发，那么就是传输频率就是200MHz。

 

 二、DDR SDRAM与SDRAM的不同