晶振的这两个知识点你了解吗?晶振常见问题解答

为增进大家对晶振的认识,本文将对晶振的两大知识点以及晶振使用过程中常见的问题予以解答。

晶振具有正逆压电效应这一物理特性,可以产生非常微弱的周期性振荡信号。为增进大家对晶振的认识,本文将对晶振的两大知识点以及晶振使用过程中常见的问题予以解答。如果你对晶振具有兴趣,不妨一起继续往下阅读哦。

一、晶振两大知识点

知识点一:5个要点搞定晶振电路PCB布线

位置要选对:晶振内部是石英晶体,如果不慎掉落或受不明撞击,石英晶体易断裂破损,所以晶振的放置远离板边,靠近MCU的位置布局。

两靠近:耦合电容应尽量靠近晶振的电源管脚,如果多个耦合电容,按照电源流入方向,依次容值从大到小摆放;晶振则要尽量的靠近MCU

走线短:在电路系统中,高速时钟信号线优先级最高,一般在布线时,需要优先考虑系统的主时钟信号线。时钟线是敏感信号,频率越高,要求走线尽量的短,保证信号的失真度最小。

高独立:尽可能保证晶振周围的没有其他元件。防止器件之间的互相干扰,影响时钟和其他信号的质量。网传是300mil内不要布线,实际在设计中并没有如此严格。

外壳要接地:晶振的外壳必须要接地,除了防止晶振向外辐射,也可以屏蔽外来的干扰。

知识点二:查晶振问题不可缺少的三要素

01,检查晶振本身

在运输、焊接过程中,都可能会导致晶振内部的水晶片的损坏。如果我们在焊接晶振时,焊锡温度过高,或者是菜鸟级别的焊接时间长,都会影响到晶振本身。如果晶振损毁,直接更换一个晶振,是查找晶振不起振的问题中最简单的。

02,物料参数值错误

比如STM32使用外部晶振32.768Khz晶振,电容的容值建议在5pf-15pf之间,如果我们选择不合适的容值,就会导致晶振不起振。

03,PCB布线问题

检查PCB布线是否存在错误,如真是这个问题,那影响就非常大了,这一版就会浪费掉,还要投入更多成本,项目周期也会增加。

二、晶振常见问题解答

1、晶振的原理,如何产生正弦信号的,详细一点,从电路方面分析?

答:晶体可以等效为一个电感,与里面的电容形成振荡回路,能量从电感慢慢到电容,再从电容慢慢到电感,周而复始形成振荡。正半周是电容的充放电过程,负半周是电感的充放电过程。

2、11.0952的晶振和单片机哪些引脚连接能起作用?电源和18B20应该和单片机的哪些引脚相连呢?RT,要把单片机从实验板上引出来,应该怎么连接?1602LCD的液晶该怎么和单片机相连呢?每次从仿真上连出来都是只有背光和黑点,但是不显示已经烧录的程序。

答:晶振接单片机x1(或者叫XTAL1)和x2(或者叫XTAL2)引脚。

电源接单片机的VCC和GND。

18b20电源脚接电源上,中间的数据线可以单片机的任意io口。具体控制是靠程序完成的。

1602的数据线接单片机io(比如51单片机的P1口),其它的控制线rw,reset,cs等可以接单片机的任意io口。

烧录了程序不能运行,而程序是正确的话,你得看程序怎么定义这些引脚,根据程序定义连接单片机的位置。

3、我现在要用52单片机做一个交通灯电路。要求是红灯,绿灯30s,黄灯3s。循环变化。那么外界晶振怎样选择?单指令周期多少比较合适?图中外接的两个电容的作用是什么?大小多少合适?

答: 如果选择晶振的话,那两个电容值可以选择:30加减10PF左右的(频率在0~33MHZ之间);

如果选择陶瓷晶振的话,电容值可以选择:40加减10PF左右的(频率在1.2~12MHZ)振荡器应尽量靠近电容。指令周期是可以算的,这个是有公式的!

4、若89c52单片机使用外接晶振,应如何设置?

答:晶振的两个管脚各接一个20~30pf的电容后分别接入单片机的XTAL1和XTAL2,两个电容的另一端并接后接地即可,不再需要任何设置

5、89c52单片机 晶振频率才12兆,太小了,怎样能改大晶振频率?

答:外接18.432或者24MHz的晶振啊。或者换4T的W77E58单片机,这样相当于把工作频率提高3倍。或者换1T的DS89C4XX单片机,这相当于把工作频率提高8倍!足够了吧?用1T的STC12C5A**单片机也有这样的效果。

6、51单片机晶振上接的电容大小该如何选择?是晶振越大,电容值也要大一些吗,一般常用多大的。有人说常用的从15-33pf,具体如何选择效果最好?比如我分别用一个6M和12M的晶振,用多大电容更合适?

答:15-33pf都可以 我们一般用的是15P和30P 晶振大小影响不大 我们常用的4M 和12M 以及11.0592M和20M 24M 我们都用的 30P 单片机内部有相应的整形电路 我们不比担心

7、我给51单片机12M晶振接2200pF电容会怎么样?电路图里貌似是22pF的,但是我没有22pF的。。.接2200pF会不会不正常工作?

答:不可以,晶体会不工作的。15-33p是合理范围。你可以试试看,对单片机不会有损坏。

<think>好的,我现在要回答用户关于单片机使用双晶振电路的原因作用的问题。首先,我需要回顾用户提供的引用内容,尤其是引用[2]引用[3],以及用户之前的问题历史。用户之前询问过双晶振的作用,现在需要更详细的解释。 根据引用[2],STM32两个晶振,分别是低速的32.768kHz高速的8MHz。我需要解释这两个晶振的不同用途。高速晶振通常用于主系统时钟,确保处理速度,而低速晶振用于实时时钟(RTC)低功耗模式。这可能涉及到不同应用场景下的时钟需求,比如需要精确计时的时候,低速晶振更合适,而高速晶振则用于核心运算。 另外,用户提到的引用[3]关于NC电容可能晶振电路设计中的负载电容有关,但需要确认是否相关。不过用户现在的问题集中在双晶振的原因,所以可能不需要深入讨论电容,除非涉及到电路稳定性。 接下来,我需要组织回答的结构,确保分点清晰。可能的原因包括:不同时钟需求、功耗管理、功能模块分工、系统稳定性。每个点都要结合引用中的信息,比如双电源供电在引用[1]中提到,虽然那是关于电机的,但原理类似,独立供电提高稳定性,可能类比到时钟电路的独立性。 需要检查是否有其他因素,比如成本或设计复杂性,但根据常见知识,主要原因是功能需求功耗平衡。同时,要确保使用LaTeX格式的数学表达式,比如频率单位写成$32.768\text{kHz}$,符合用户的要求。 在生成相关问题部分,需要考虑用户可能的后续问题,比如如何选择晶振频率、设计时的注意事项、双晶振带来的挑战等。确保问题与主题相关,帮助用户深入理解。 最后,确认回答引用了正确的引用来源,引用[2]直接相关,而引用[1][3]可能次要,但如果有相关点可以提及。例如,引用[1]中的双电源供电类比到时钟电路的独立晶振,避免干扰,提高稳定性,这可能是一个合理的联系。 总结回答的结构:作用分点,每个点详细说明原因,结合引用,使用正确格式,最后生成相关问题。</think>### 单片机使用双晶振电路的作用及原因 单片机使用双晶振电路的核心目的是通过不同频率的时钟源满足系统多样化的时序需求,同时优化功耗稳定性。具体原因及作用如下: --- #### 1. **区分高频与低频应用场景** - **高频晶振**(如$8\text{MHz}$或$25\text{MHz}$)提供主时钟信号,用于CPU核心运算、外设通信(如SPI、UART)等需要高速运行的场景。例如,执行复杂算法或高速数据采集时,高频时钟能显著提升处理效率[^2]。 - **低频晶振**(如$32.768\text{kHz}$)专用于实时时钟(RTC)、看门狗定时器或低功耗模式。该频率是$2^{15}$的整数倍,方便分频后生成精确的秒脉冲信号,保障时间基准的准确性[^2]。 --- #### 2. **降低系统功耗** - 在低功耗模式下(如睡眠模式),单片机可关闭高频晶振,仅保留低频晶振维持RTC或定时唤醒功能。例如,STM32的“待机模式”通过低频晶振将功耗降至微安级别[^2]。 - 双晶振设计允许动态切换时钟源,避免高频时钟持续运行导致的能耗浪费。 --- #### 3. **功能模块的独立性** - **高频时钟驱动核心与外设**:如PWM输出、ADC转换等需要高精度时序的功能。 - **低频时钟维持基础功能**:如系统日志的时间戳、定时中断唤醒等[^2]。 - 两者的分离设计可减少时钟信号间的干扰(类似引用[1]中双电源供电的抗干扰原理)。 --- #### 4. **提升系统稳定性** - **抗干扰能力**:高频晶振易受温度、噪声影响,低频晶振稳定性更高。例如,RTC依赖低频晶振可在高温或电磁干扰下保持计时连续性。 - **冗余设计**:部分单片机允许在外部晶振失效时切换至内部振荡器,提高容错性[^2]。 --- ### 双晶振典型配置示例 以STM32为例: ```c // 使用HSE(外部高速晶振)作为主时钟源 RCC_OscInitTypeDef RCC_OscInitStruct = { .OscillatorType = RCC_OSCILLATORTYPE_HSE | RCC_OSCILLATORTYPE_LSE, .HSEState = RCC_HSE_ON, // 启用8MHz高速晶振 .LSEState = RCC_LSE_ON // 启用32.768kHz低速晶振 }; ``` ---
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