开关电源boost升压电路米勒效应

在开关电源、逆变器、ups等大功率电子产品中，经常会遇到mos管/场效应管/IGBT发热问题。

现象：

能量守恒定律：能量不会凭空消失。
变压器初级产生的磁能，未被次级完全吸收，存在1~5%的能量无法传递到负载，这个能量叫做漏电感。

在mos管存在3个寄生电容：Cgs，Cgd，Cds，其中Cds与变压器漏感产生LC振荡，体现在D级脉冲高压和振荡，导致mos管发热，变压器漏电感以热量的形式发散出去。

改善：
加入rcd吸收电路，将mos管漏极的应力通过电容缓冲，通过电阻消耗。

振荡虽然消失，但尖峰电压依然很高。 减小电阻阻值，增大电容容值可以降低尖峰电压，但是功耗也会增加。尖峰电压为30v。

改进：

在改进版本中，增加了一个在mos管漏极和vcc直接加入一个tvs管，钳位电压为10v，mos管漏极电压应力为20v。这时候mos管已经不再发烫。

本篇文章只给方案和效果，电路原理不展开还会增大篇幅，关于米勒平台、LC振荡、mos管寄生电容、pcb寄生电感、变压器漏感、rcd吸收电路等细节知识可自行百度。