一文搞懂EOS与ESD区别及分析方法

  在电子器件组装过程中，EOS(Electrical Over Stress)与 ESD（Electrical Static Discharge）造成的集成电路失效约占现场失效器件总数的50%，且通常伴随较高不良率以及潜在可靠性问题，是产线一大杀手。

    当问题发生时，应该如何查找真因、寻找解决方案，一直以来都是工程师的难题。阔智通测集成电路失效分析实验室，通过多年的行业积累，总结出一套相对完整的针对EOS/ESD的分析方法，通过失效分析、模拟验证等手段，可以更好地协助工程师提升产线良率及IC的可靠性。

⇲ 故障概念明晰

   EOS全称电气过应力（Electrical Over Stress），其表现方式是过压或者过流产生大量的热能，烧坏元器件内部。EOS可指所有的过度电型故障，也包括下面要介绍的ESD。

    ESD全称静电放电（Electrical Static Discharge），特指因静电造成的瞬时烧坏元器件的故障。我们知道静电虽然持续时间极短，但却可以产生巨大的电流和电压，这足以破坏元器件的内部结构。按照定义，ESD本质上仍是电气过应力故障，故而它可以看做EOS的特例。

⇲ 产线失效到底是由EOS还是ESD引起？

    做失效分析时，最希望知道root cause是EOS还是ESD，确认失效机理及真因，是改善良率的第一步，也是非常关键的一步。我们区分EOS还是ESD会首先通过失效分析手法挖掘IC的物理失效现象，然后从现象上去区分。

① EOS的概念核心是电气过应力，是长时间（几微秒到几秒）持续的过压或大电流，超过限额的电流使得器件损坏，一般呈现功率升高、高强度的发热、金属线膨胀、造成元器件整体大面积的损坏，甚至包括塑料封装烧毁，常见EOS物理失效表现：氧化层、金属层大面积熔融以及封装体碳化等现象，如下为典型EOS失效图片。

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    在EOS失效识别后，找原因过程大家经常遇到如何判断到底是过压造成的呢？还是过流造成？以利于排查电路相关连接电的电性能参数及变化的测试确认。那么两种情况（过压或过流）失效特征上有无区别？下面以功率MOSFET来测试验证探讨。

   将过电压和过电流测试损坏的功率MOSFET去除外面的塑料外壳，对露出的硅片正面失效损坏的形态的图片。

a.过压测试后损坏测试图片

    从图可以看到：过电压的失效形态是在硅片中间的某一个位置产生一个击穿小孔洞，通常称为热点，其产生的原因就是因为过压而产生雪崩击穿，在过压时，通常导致功率MOSFET内部寄生三极管的导通[1]，由于三极管具有负温度系数特性，当局部流过三极管的电流越大时，温度越高，而温度越高，流过此局部区域的电流就越大，从而导致功率MOSFET内部形成局部的热点而损坏。

     硅片中间区域是散热条件最差的位置，也是最容易产生热点的地方，可以看到，上图中，击穿小孔洞即热点，正好都位于硅片的中间区域。

b.过压测试后损坏测试图片

    从图可以看到：在过流损坏的条件下，所有的损坏位置都是发生的S极，而且比较靠近G极，因为电容的能量放电形成大电流，全部流过功率MOSFET，所有的电流全部要汇集中S极，这样，S极附近产生电流 集中，因此温度最高，也最容易产生损坏。

② ESD特指静电所引起的过点损坏，持续时间要短得多，可以是几皮秒到几纳秒，释放的总能量有限，故而导致的经常是晶体管级别的损坏，深藏在元器件内部结构，总体可见性不强，确定故障点往往需要更复杂的开盖测试等流程，常见ESD物理失效表现：衬底击穿、多晶硅熔融、GOX pin hole、contact melted、metal melted等，如下为典型ESD失效图片。

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⇲ 为什么EOS和ESD会造成不同的失效现象？

    ESD从广义上属于EOS的一种，但是现场应用中我们通常把ESD单独归类，除此之外的过电应力统归于EOS。EOS 是指长时间（几微秒到几秒）持续的过压或大电流造成的局部过热导致的失效，其电压、电流相对ESD较低，但是持续时间长能量更高，经常有同一功能区块多处大面积的burnout现象。ESD 单指在静电放电过程中瞬间高电压（通常在几千或上万伏特）大电流（1～10A）状态下引发的失效现象，主要特征为放电时间极短（1～100ns），因此一般呈现为轻微的点状失效。

⇲ 什么情况下无法区分EOS/ESD？

   一种情况是短脉冲EOS（持续时间几个微秒）与ESD的物理损伤十分相似，比如只造成很小面积的金属熔融，这种情况就很难区分是EOS还是ESD的能量造成。另一种情况是IC先经过了ESD损伤，在后续功能验证时大漏电流诱发了burnout现象，使得IC表面同时存在EOS和ESD的物理失效特征，尤其常见于PAD旁边的IO buffer线路上，这种情况下单从物理失效现象是无法判断初始失效是否由ESD导致。当遇到EOS/ESD无法区分的情况，需要通过模拟实验进一步验证，对IC或系统使用不同模型进行EOS/ESD模拟测试（图4）test to fail，并针对失效IC进行分析

     通过对比验证批芯片与实际失效芯片的物理失效现象（失效线路位置及失效发生的物理深度），不仅可以用来归纳真因，还可以了解IC或系统在不同条件下的耐受等级，从而进一步指导优化产线防护或IC的可靠性设计。针对新投产芯片也可以考虑从多维度进行EOS/ESD的验证与分析（图5），不断提升IC的可靠性品质。

 综上所述，当产线发生EOS/ESD失效时，应该从哪些方面进行分析及改良？建议参考以下流程进行：

1.针对失效IC进行电性及物理失效分析，确认其物理失效现象（失效点对应的电路位置及失效的物理深度），配合现场失效信息收集，初步推断EOS/ESD失效模型；

2.针对EOS/ESD无法判断的情况，对相关IC或系统进行EOS/ESD模拟试验，验证其电压、电流耐受等级，并针对失效芯片执行失效分析，对比实际失效状况，归纳真因及梳理改善方向；

3.探测现场容易发生EOS/ESD的位置（例如使用ESD Event Detector或高频示波器），针对产线应用进行改良。

⇲ EOS/ESD原因及失效来源

1、能够造成EOS的原因，有测试程序切换（热切换）导致的瞬变电流/峰值/低频干扰、电源(AC/DC) 干扰和过电压、测试设计超过系统的承受上限、从其他装置发送的脉冲、接地反弹等。

2、能够导致ESD的原因，就是工作流程中可能生成静电的环节，包括人对物料的接触、摩擦起电、感应生电等。静电积累到一定程度，就会引发放电现象，导致失效的发生。

3、集成电路IC常见EOS/ESD失效来源:

① 生产人员/设备/环境的ESD防护不佳

② 使用易感应静电的材料

③ 模块测试开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰

④ 热插拔引发的瞬间电压、电流脉冲

⑤ 电源供应器缺少过电保护装置及噪声滤波装置

⑥ 提供超过组件可操作的工作电源

⑦ 接地点反跳（接地点不足导致电流快速转换引起高电压）

⑧ 过多过强的ESD事件引发EOS

⑨ 其他设备的脉冲信号干扰

⑩ 不正确的上电顺序