《炬丰科技-半导体工艺》硅片与氟蚀刻液界面金属杂质的去除

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅片与氟蚀刻液界面金属杂质的去除
编号：JFKJ-21-948
作者：炬丰科技

引言

随着硅基板越来越密集和复杂。为了提高基板的可靠性和执行能力，要求硅基板更高的清洁性。因此，为了在液/持续时间和液/液之间界面的完美调节下使基板表面清洁和均匀，了解基板污染物，查明机制，确立适当的基板污染剂那里技术是很重要的。硅表面的金属杂质给半导体装置带来不可治愈的损伤，如p/n粘合部漏电的增加以及异常电压的发生和载体寿命的减少。为了防止这种损伤，即使很少，也要将硅表面的金属污染降低到标准以下。目前，在通过干燥工艺去除硅基体表面的金属杂质和损伤方面，湿式工艺是唯一的。因此，进一步提高工艺很重要。

实验

在BHF和硅衬底之间的界面上，对金属杂质的分离和去除进行了实验，利用了可以直接与表面结合的铜。在金属杂质的硅表面，沉积有两种机制。第一次机械主义是终止硅表面的氢原子和金中离子之间的电荷交换引起的直接沉积。另外一种机制是氧化物在硅表面形成。金属杂质是沉积的金属氧化物，包含在硅中的时候。硅中含有的金属杂质可以通过将硅胶蚀刻为DHF来去除。去除直接与暴露的硅表面结合的铜等金属杂质不是一件容易的事。
表1解释了样品基板是如何制造的。在BHF吸收一定时间之前，用RCA清洗处理。RCA清洗后基板表面的初始金属污染程度低于标准污染期板调整的TRXRF的污染极限水平。然后基板用超纯水冲洗，最后用超纯水氮干燥。

TRXRF是为了在制造的基板表面测量金属农度而写的。分别用AFM评价硅表面的微形貌。为了测量