《炬丰科技-半导体工艺》晶片清洗和退火对玻璃/硅晶片直接键合的影响

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：晶片清洗和退火对玻璃/硅晶片直接键合的影响
编号：JFHL-21-1019
作者：炬丰科技

引言

晶圆直接键合(WDB)是一种不用胶水就能键合干净的镜面抛光晶圆的技术。当键合晶片在高温下退火时，相对较弱的室温键合(通过范德华力或氢键合键合)被较高强度的键合(如共价键合)所取代。我们使用4英寸耐热玻璃和硅片研究了玻璃/硅直接键合中的清洗和退火效应。检查SPM清洗(硫酸-过氧化物混合物，H2SO4 :H2O2=4:1，120°C)、RCA清洗(NH4OH:H2O2 :H2O=1:1:5，80°C)以及这两种方法的组合，以研究晶片清洗效果。当晶片在SPM清洗后用RCA清洗时，在室温下获得最大的键合质量。通过原子力显微镜测量的表面粗糙度与室温下的结合质量一致。当退火温度增加到400℃时，结合强度增加，但是在450℃时发生剥离。玻璃和所用硅晶片的热膨胀系数的差异导致了这种剥离。当在室温下键合的晶片在300或400℃退火时，键合强度增加28小时，然后随着进一步退火而降低。进一步退火导致的结合强度下降是由于钠离子通过玻璃/硅界面漂移。

实验

我们用四英寸直径的硼硅酸盐7740派热克斯玻璃晶片和硅晶片来研究，厚度分别为500米和525米。硅晶片为p型，电阻为4ω，玻璃晶片含有12.7% B2O3和其他元素，包括Na2O (4.00%)、Al2O3 (2.30%)、K2O (0.04%)和Fe2O3(0.03%)。SPM(硫酸-过氧化物混合物，H2SO4 :H2O2=4:1，120°C)和RCA (NH4OH:H2O2 :H2O=1:1:5，80°C)用于清洁晶片表面。为了比较清洁的效果，研究了SPM和RCA的各种组合(即只有SPM，只有RCA，SPM后RCA，以及S