《炬丰科技-半导体工艺》石英深反应离子刻蚀特性研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：石英深反应离子刻蚀特性研究
编号：JFKJ-21-802
作者：炬丰科技

摘要
本文介绍了我们最近对石英深反应离子刻蚀(DRIE)特性的研究。系统研究了三种不同的刻蚀气体混合物，即SF6/AR、CF4/AR和CHF3/AR，工艺参数包括氩流量比、偏置功率、等离子体功率、腔室气压和气体总流量。此外，在本文介绍的所有实验中，SU-8被用作掩模层而不是金属。我们发现，当选择CF4/Ar和CHF3/Ar气体混合物作为DRIE蚀刻介质时，SU-8是一种有效的替代掩模材料。制作了深度为55 m的微通道，获得了接近垂直的侧壁轮廓(86°)。本文收集的处理数据可为今后石英DRIE的研究工作提供基础参考资料。

介绍
在各种微制造技术中，最常用也是最简单的方法是用氟基溶液湿法蚀刻石英。通过湿法蚀刻，石英材料被等向结构化。对于所制造的结构，不仅难以控制侧壁的宽度，而且微通道的宽度也必须相应地变宽。弯曲的侧壁不允许紫外可见检测器的片内集成。对于平面外集成(垂直集成)，需要使用非常厚的石英衬底的非常长的垂直微通道来获得足够的有效信号，以克服朗伯-比尔定律的限制。
石英和SU8掩模之间的蚀刻选择性可以高达0.34.根据我们的结果，我们已经证明SU-8是DRIE工艺中金属的良好替代掩模材料。本文介绍的系统过程数据库可为其他试图研究石英DRIE的研究小组提供有效的实质性参考。
过程
这项研究准备了标准的实验装置。厚度为550米的石英晶片被切成1厘米× 1厘米的正方形。然后用图案化的SU8 (100米× 1厘米，宽×长)将其掩蔽。用丙酮和异丙醇清洗石英样品后，用去离子水冲洗，直到电阻率超过18 M。然后将样品在200℃的加热板上脱水至少20分钟。然后将晶片冷却至室温。然后以1000转/分钟的速度旋转30秒钟，产生厚度约为90米的