《炬丰科技-半导体工艺》 300mm 硅上的单片 InGaAs 光电探测器

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章： 300mm 硅上的单片 InGaAs 光电探测器
编号：JFKJ-21-1128
作者：华林科纳

*引言
通过具有ART和(NRE的选择性区域外延生长创造了一系列纳米脊波导光电探测器(NRWPDs)，这些器件有望进一步与硅光子学平台实现第三代至第五代集成，其形式可能是未来O波段(1260-1360纳米)的高效光产生和放大c波段(1530–1565纳米)电信光纤应用。

*实验
图2(a)具有不同p触点插头间距的器件的暗(虚线)和亮(线)电流-电压曲线；(b)线性标度上的轻电流-电压放大；©所有器件在不同偏压下的暗电流统计；(d)在标称输入功率下测量的不同偏置电压下具有不同p触点插头间距的器件的轻电流统计。


因为它的间接带隙，直接带隙材料如铟镓砷的集成受到晶格失配问题的抑制，导致大的缺陷密度。ART是减少这种缺陷产生的一种方法。

IMEC/根特的工作主要集中在较短的1020纳米波长范围内，但IMEC最近报道了NRE铟镓砷材料的生长，其工作波长大于1200纳米，更适合硅和光纤光子学。直径300毫米的硅衬底，用离子注入掺杂的n型。然后形成浅沟槽，宽100纳米，深300纳米，使用标准的“浅沟槽隔离”(STI)工艺，来自CMOS电子工艺。在氧化物平坦化之后，用四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液进一步蚀刻沟