《炬丰科技-半导体工艺》激光退火使 III 族氮化物晶体管的栅极优先制造成为可能

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：激光退火使 III 族氮化物晶体管的栅极优先制造成为可能
编号：JFKJ-21-1153
作者：华林科纳

引言
通过使用聚焦激光对源极和漏极进行选择性的微米级局部退火，实现铝镓氮化物(AlGaN)高电子迁移率晶体管(HEMTs)栅极优先制造的电极。栅极优先制造是自对准硅互补金属氧化物半导体晶体管制造的标准。添加门优先从氮化镓HEMT制造到工艺面板，可能会带来新的硅互补金属氧化物半导体集成选择，例如创建新的数字辅助射频混合信号和功率调节电路。
典型地，优选地，在AlGaN HEMTs之前处理CMOS元件。不幸的是，CMOS处理的热预算通常具有450℃的上限，以确保电性能得以保持。

讨论和结果
HEMT制造通常使用最后栅极工艺流程，因为实现源极和漏极的欧姆接触需要超过800℃的非常高的温度，这将损坏栅极结构。这些温度也明显打破了硅互补金属氧化物半导体的热预算。HEMT结构由150纳米氮化镓沟道/缓冲层上的20纳米铝0.25镓0.75氮阻挡层组成。这在GaN/AlGaN界面附近形成二维电子气(2DEG)沟道，载流子密度为1.0x1013/cm2，迁移率为1.5x103cm2/V-s，和450/square薄层电阻。
栅极优先制造工艺流程始于20纳米二氧化硅的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。镍/金栅极金属的电子束蒸发之后，通过剥离光刻构图成5米长、600米宽的栅极结构。
图案化缓冲氧化物蚀刻用于从源极/漏极接触区去除二氧化硅绝缘。进一步的电子束蒸发产生钛/铝/镍/金源/漏电极。源极-栅极和漏极-栅极间距分别为5 m和10 m。源/漏电极的退火是使用532nm连续波激光通过显微镜物镜聚焦到3 m点来实现的。目的是热激活氮从AlGaN向外扩散。该过程在自制的真空室中以5x 10–3Pa的压力进行。真空对于避免退火过程中的氧化至关重要。
激光点以10米/秒