本文详细探讨了硅在EPW各向异性蚀刻剂中的阳极氧化过程，通过循环极化技术和X光电子能谱、二次离子质谱等手段进行表征。研究发现，阳极氧化膜在特定条件下表现出更好的化学稳定性，特别是在重掺杂的硅片中，蚀刻速率显著降低，这为理解硼重掺杂蚀刻停止机制提供了基础数据。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：EPW溶液中硅的阳极氧化
编号：JFKJ-21-1357
作者：华林科纳
本文通过使用循环极化技术研究了硅在EPW各向异性蚀刻剂(乙二胺、邻苯二酚和水)溶液中的阳极氧化，用x光电子能谱和二次离子质谱对样品进行了表征。
用自动扩散电阻(ASR)辐照根据两个16的火山硼的浓度分布，结果如图1所示，在进入17至10阳极氧化测试以产生相同的表面条件之前，使用氢氟酸溶液去除晶片表面的酸膜。
绘图仪尺寸和光束电压分别为3×3mm2和0.7kV，参比电极为ag / AgCl电极，反电极采用AP网络，并安装溶液浓度，以保持电容器持续处于受控状态。此外，在实验过程中，通过通入氮气防止溶液氧化，阳极氧化和循环极化的两个实验实例斜坡率= 02毫伏/秒，初始电位为-100毫伏对。使用SIMS提高了一个体积的表面中硼的浓度。图2用于阳极极化和阴极极化的实验装置。
在耐腐蚀金属(如不锈钢)中颗粒的铬确定阳极氧化的情况下，由点引起的内腐蚀，其中当沿相反方向扫描从无源区域到有源
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