《炬丰科技-半导体工艺》使用单个蚀刻掩模制造硅MEMS结构的改进的各向异性湿法蚀刻工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：使用单个蚀刻掩模制造硅MEMS结构的改进的各向异性湿法蚀刻工艺
编号：JFKJ-21-961
作者：炬丰科技

引言
我们开发了一种改进的各向异性湿法蚀刻工艺，通过在晶片上使用单个蚀刻掩模来制造各种硅微结构，这些微结构具有圆形凹角和尖锐凸角、用于芯片隔离的凹槽、蜿蜒的微流体通道、具有弯曲V形凹槽的台面结构以及具有高度光滑表面光洁度的45个反射镜。在这项工作中，我们使用了一种CMOS兼容的各向异性蚀刻剂，含有四甲基氢氧化铵(TMAH)和少量(0.1% v/v)的非离子表面活性剂(NC-200)，含有100%的聚氧乙烯-烷基-苯基-醚。通过分析(100)硅片在纯的和添加表面活性剂的TMAH中的刻蚀特性，开发了该工艺。

介绍
湿法各向异性蚀刻被广泛用作微机械加工技术，用于生产低成本的微机电系统部件，例如单晶硅晶片中的悬臂梁、隔膜、反射镜和许多其他结构。体微加工制造微机电系统结构的常规设计
硅有锐边凸凹角。然而，从机械工程的角度来看，尖锐的凹角通常被避免，因为当施加载荷时，它们导致应力集中，这可能引发微裂纹。通过将尖锐的凸角设计成圆形，可以降低其应力集中，从而提高机械效率。然而，在常用的纯各向异性蚀刻剂如氢氧化钾水(KOH)、乙二胺邻苯二酚水(EDP或EPW)、氢氧化四甲基铵(TMAH)中制造圆形凹角是一项困难的任务，因为存在严重的底切。与湿法蚀刻相关的另一个问题是，由于在这些拐角处出现快速底切，通过传统的拐角补偿方法用于制造凸拐角的空间结构的程度很大。这种空间要求是一个主要的关注点，特别是对于实现芯片隔离的凹槽和弯曲的V形凹槽，其中可用的空间比拐角补偿几何形状所需的空间少。然而，凸角的底切对于使用磷硅、二氧化硅、氮化硅和其他材料实现微结构是有利的，其中快速的