《炬丰科技-半导体工艺》黑硅：制造方法、特性和太阳能应用

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：黑硅：制造方法、特性和太阳能应用
编号：JFKJ-21-1303
作者：华林科纳

本文首先综述了常用的BSi制备工艺，根据高效可再生太阳能组件的策略，对BSi作为太阳能电池抗反射涂层的应用进行了批判性的研究和评价，还研究了将BSi纳入先进太阳能电池结构和超薄柔性BSi晶片的方法。特别注意通向钝化BSi表面的路径，这对于改善任何含BSi的器件的电学性能都至关重要。综述了BSi的研究进展及其在太阳能电池技术中的应用。

利用光刻的掩模可以制作三维微纳米结构，其中只对选定的区域进行电化学抛光，为了BSi的目的，我们后续的讨论将只集中在低电流区域，低电流区的蚀刻反应主要通过调节电流密度、高频、蚀刻时间和照度来控制。对于大多数典型的实验室合成方法，通过施加恒定电流，硅片的孔隙率在其孔隙进入基底时保持不变（图2a）。
相比之下，改变电流密度及其相关时间可以产生孔隙率和折射率逐渐变化或步长变化的结构。例如，在电化学蚀刻过程中不断将蚀刻电流从100mA变化到0mA，并使孔隙率从99%到33%逐渐变化,它们的多孔层比均匀多孔硅具有更好的光学性能，在厚度为107nm时，加权折射率仅为3.7%(图4)。