硅光芯片边耦合器综述（三）

5.讨论和观点

5.1. 边耦合器性能的总体概述

为了便于参考和比较，表1中对前面几节提到的光纤到芯片边耦合器的不同类型的结构进行了重新组织。表 1 显示，边耦合器可以实现高达 90% 耦合效率，并且器件的占用空间通常为几百微米。边耦合器通常在较宽的工作波长带宽内稳定运行，并且 TE 和 TM 模式的偏振依赖性相对较低。

表1.具有不同结构的边耦合器概述。单模光纤：单模光纤，SWG：子波长光栅结构，PDL：偏振相关损耗

由于单边耦合器的耦合损耗低，在边耦合器的测试中通常采用回切法来测量耦合效率[26,68,108]，并在多组辅助超长直波导和弯曲的辅助下获得准确的实验结果。在某些情况下，可以自定义光纤阵列以放置在一个小面或两个小面，以减小对齐问题。由于边耦合器用于对接耦合，因此芯片端面质量在实际实验和应用中至关重要。在处理端面时需要注意两个问题：首先，芯片面和耦合器面之间应有适当的间距，以保护器件结构，并减少光在限制不足的间距内传播时的功率消失，通常间距在几微米到几十微米，并可使用折光率匹配油进行更精确的折射率控制。其次，芯片端面的表面粗糙度应尽可能低，以防止过多的光反射和散射。端面可先进行深反应离子蚀刻，然后进行激光切割或机械切割，以获得光滑的侧壁（表面粗糙度低至达到几百纳米）。

5.2. 边耦合器和垂直耦合器之间的简要比较

如前面的引言中所述，在垂直耦合机制下，光纤被放置在平面光子芯片顶部的某些耦合结构（主要是衍射光栅）的上方。垂直光栅耦合器通过具有周期性或啁啾间距的光栅结构将光的平面外波矢方向更改为面内波导方向，并通过光斑尺寸转换器将光耦合到片上波导中。波矢转换可以用布拉格条件来描述，布拉格条件将光栅的间距、结构有效折射率和光束入射角与满足条件的特定波长联系起来[34]。光栅耦合器在与晶圆级测试的兼容性、对准和测量的灵活性以及相对紧凑的尺寸上具有优势[109,110]。同样格栅耦合器也有一些缺点，首先，由于光栅结构中发生的固有衍射和散射，耦合效率相当低，不满足相位匹配条件的光分量在光栅内传播时被消除。其次，同样由于相位匹配条件，只有特定波长范围内的光才能穿过光栅，这一特性导致光栅耦合器的带宽有限。第三，光栅结构的齿具有较高的方向性，对电磁矢量的振荡方向非常敏感。从宏观角度来看，这表示为 TE 或 TM 偏振状态。因此，光栅耦合器波矢转换有偏振敏感的缺点。

高效光栅耦合器也有报道，但通常需要复杂的制造工艺，例如格栅下方的底镜或格栅上方的硅覆盖层[111–113]。为了解决波长和偏振敏感问题，提出了偏振分离光栅耦合器和双波段光栅耦合器 [114,115]，但这些设计通常也会增加耦合损耗。对于边耦合器，尽管具有耦合效率高、带宽宽和对偏振依赖性低等明显优势，但主要限制在于边耦合只允许光纤在芯片面上与耦合器对齐，这与支持在晶圆平面上不同位置进行晶圆级测试的光栅耦合器相比不太方便 [116–118]。同时，边耦合器通常在纵向尺寸上具有较大的占地面积。此外，具有上述级联多级锥形、三维 锥形或悬臂结构的边耦合器的特殊设计需要复杂而困难的制造工艺。表 2 总结了典型垂直光栅耦合器和边耦合器的性能，以便快速比较。

表2.边耦合器和光栅耦合器之间的比较。DUV：深紫外，EBL：电子束光刻。

5.3. 光耦合器的封装问题

对于从概念验证到商业原型的光子芯片设计，封装和组装是一个关键点，是商业化道路上最重要的瓶颈之一 [119]。为封装的光子集成电路提供一个接口，以便在光纤到芯片耦合状态下与光纤连接，这一点至关重要。与上述耦合策略相对应，封装中一般有两种类型的光纤到芯片耦合，即边耦合和光栅耦合。横向耦合适用于平面光子集成芯片，但横向边耦合器很难提供理想的对准[120]。主要采用带有光栅耦合器的垂直耦合，因为光纤可以放置在芯片上的多个位置以与光栅耦合器连接。

光子芯片的封装在对准精度、热管理以及将有源和无源器件集成在一起的可行性方面都有很高的要求。耦合效率是封装和带宽中最重要的品质因数，还应考虑偏振依赖性。边耦合可以达到高耦合效率、宽带宽和对偏振的低敏感性。然而，边耦合器的关键限制是它只能支持芯片面的光耦合，不灵活。边耦合封装有两个主要缺点，即错位容忍度低和制造工艺复杂。首先，在电信中广泛使用的1550 nm波长下，单模光纤的典型1 dB对准容差约为1.75 μm [39]。由于边耦合器的模场直径与该值相当，因此对准光纤与边耦合器小平面的微小偏差会导致耦合效率急剧下降。其次，边耦合的封装通常采用光纤尾纤结合激光焊接 [121]。在某些情况下，光纤需要切割、切削和逐渐变细为透镜光纤。此外，芯片端面需要精细抛光，以降低端面表面粗糙度并提高耦合效率。有时应在抛光过程后进一步引入减反射涂层。这些缺点使得边耦合不足以低成本用于大规模生产

在大多数情况下，光栅耦合器在光纤到芯片封装中占主导地位。从工业角度来看，非接触式探测和封装电路的测试对于低成本的灵活测量和测试至关重要。光栅耦合器的模式光斑尺寸比边耦合器大得多，适用于与单模光纤耦合 [121]。值得一提的是，边耦合可以适用于一些特定的光子应用，包括需要高功率传输的场景，如非线性硅光子学，以及需要宽带宽以实现具有高光输入/输出（I/O）数量和高频特性的集成器件的情况[39]。对于边耦合封装的发展趋势，使用 HNA 纤维来提高耦合性能并放松对准约束是可行的。V 型槽也用于放置和对齐光纤。但是，V 型槽可能会占用芯片的超大面积，从而影响集成度和成本。此外，由于边耦合器的错位公差与光纤阵列的制造公差相当，因此边耦合仅适用于单通道封装，当需要连接多根光纤时，它非常昂贵和耗时，一些研究小组和公司还致力于开发多通道边耦合，因为它具有潜在的高耦合效率[119]。

5.4. 硅光边耦合器的未来趋势

5.4.1.偏振和模式（解）复用技术

从表1中不难看出，对于指定的边耦合器，TE 模式大多比 TM 模式表现更好，几乎所有相关研究工作都集中在基模的传播和转换上。随着高数据传输速率和大链路容量要求的增加，趋势是多路复用不同的偏振状态和模式阶数，以便传输更多信息。已经进行了大量研究来设计具有低偏振相关损耗 PDL 的器件，并且有多种方法可以提高边耦合器的偏振不敏感性。例如，具有方形横截面或基于多齿锥形的边耦合器具有方形或扩大的有效横截面积，可以同时保持TE和TM模式[28,122]。子波长光栅结构可用于设计有效的折射率，并且可以通过适当的参数实现 TE 和 TM 模式的相等模式有效折射率 [123]。偏振（解）复用器也可以与传统的边耦合器结合使用，以复用不同的偏振状态并减少偏振依赖性[124]。此外，[125,126]总结了偏振控制的技术。至于模式复用技术，拓宽锥形宽度可以支持高阶模式的存在[127]，并且已经提出了多种基于偏振分路器、定向耦合器和阵列波导光栅的模式（解）复用器[128–132]。

5.4.2. 多层硅氮化物硅基光子集成平台

为了提高硅光子集成电路的集成密度，最近的发展表明，人们对多层集成光子平台特别是多层硅上氮化硅集成平台的兴趣越来越大。SiN具有许多优点，是硅光子平台中一个很有前途的候选者。首先，SiN与硅光子学的制造工艺具有良好的兼容性，硅光子学可以通过高温（>700 ℃）下的低压化学气相沉积（LPCVD）或低温（<400 ℃）下的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）生长[133]。其次，氮化硅波导的折射率（1550 nm处约为2.0）低于硅[134]，与二氧化硅的相对较低的折射率对比度带来了更少的光限制，因此波导尺寸更大，使其对侧壁粗糙度不太敏感。因此，SiN 波导在 O 波段的传播损耗低于 Si 波导 [133]。尽管在C波段 N-H 和 Si-H 键的存在吸收，但可以通过选择 LPCVD 而不是 PECVD 来避免。第三，SiN 可以支持高光功率，并且与 Si 相比对热变化不敏感，这意味着可以借助 SiN 将有源器件集成到硅光子平台中 [108]。

在光纤到芯片边耦合器的情况下，SiN 波导比 Si 波导具有两个主要优势。首先，SiN 波导与纤芯的折射率失配比硅低，可以适当设计以减少与纤芯的模式差异，从而改善光纤到芯片耦合的模式重叠 [135]。其次，当使用多个上部 SiN 波导时，可以降低插入损耗，如前面的第 4.1 节所述。此外，对于垂直耦合，SiN 允许使用三级偏振无关光栅耦合器 [134]，并在硅用作底部镜时提高耦合效率 [136]。有几个领先的研究小组专注于多层硅基氮化硅平台，包括多伦多大学的 Poon 等人 [134,137,138]、新加坡微电子研究所的 Lo 等人 [139,140]、加州大学圣巴巴拉分校的 Bowers 等人 [141,142] 等。表 3 展示了 SiN 耦合器的一些相关研究工作，并与SOI 平台中的光子耦合器进行了比较。除了SiN-on-Si平台外，还有一些关于晶体硅和非晶硅组合的多层集成光子波导的研究工作[62,94]。多层集成光子平台是高链路容量和数据传输的趋势。

表 3.多层 SiN 平台和绝缘体上硅 （SOI） 平台中的耦合器性能比较

5.4.3. 纳米光子学的逆向设计方法

使用电子设计自动化 （EDA） 软件来辅助电子集成电路设计既恰当又先进。由于光子波导通常与电子电路类似，因此很自然地提出了光子学设计自动化的想法。前面几节中提到的所有设计技术都是遵循正向方法，提出边耦合器的原型，然后通过数值仿真和实验测量评估其性能。最近，研究人员开始使用计算机辅助设计方法来开发边耦合器的性能提升。与传统的正向设计相反，其首先提出性能指标，然后根据数值计算得到器件结构，这称为逆向设计。斯坦福大学的 Jelena 等人于 2007 年首次提出了应用于光子设计的目标优先逆向设计方法的概念 [143]，此后，越来越多的小组开始关注逆向设计方法 [144–153]。逆向设计程序的作用类似于黑匣子，其中输入是所需的性能，输出的是结构。选择任意初始结构，并设定具体的性能要求，例如边耦合器的给定耦合效率；然后，计算和迭代将在预定义的优化算法下开始。在每次迭代中，都会获得一个临时的中间结构，算法将确定该结构是否满足预定义的关闭标准。如果满足标准，则实现最终结构，并将评估其性能是否满足性能要求。如果不满足该标准，设计过程将循环返回以构建新的中间结构，然后继续迭代。在每个迭代步骤结束时，输出性能将与预定义的标准进行比较，并将在现有结构的基础上继续优化。因此，只要运行足够的迭代，就始终可以获得最佳结果。逆向设计可以接近硅光子器件的内部性能极限。

6. 结论

近年来的研究工作见证了硅光子学在光子集成芯片领域的重要性和实用性。硅光子集成电路中的光互连是实现高效数据传输需要关注的关键问题。光纤到芯片的光互连的两种主流方式，即垂直耦合和边耦合，具有不同的特点。边耦合在更高的耦合效率、更宽的工作带宽和更低的对偏振状态的依赖性方面更胜一筹。本文首先综述了硅光子光纤到芯片耦合器的研究背景和应用。阐述了边耦合器的工作原理和设计原则，然后总结了边耦合器的整体性能指标。此外，对边耦合器在水平和垂直维度上的结构变化进行了分类和详细描述。此外，我们还对光栅耦合器和边耦合器进行了简要比较，并概述了光耦合中的封装问题。最后，我们讨论了有关边耦合器的一些实验问题和潜在前景，包括偏振控制、多层集成光子平台和逆向设计方法。令人信服的是，硅光子边耦合器将得到越来越广泛的应用，并为硅光子集成电路领域的更多改进做出贡献。