电子技术——基本BJT放大器配置

电子技术——基本BJT放大器配置

之前我们学习过MOSFET的基本放大器配置，我们知道，对于一个三端元件，其有一端需要作为公共端，因此对于BJT也存在三种基本BJT放大器配置，分别是共发射极（CE）、共基极（CB）、共集电极（CC）。

共发射极放大器

在三种放大器配置中，共发射极放大器应用最广泛，其具有优秀的增益系数，通常用于商用放大器的主要增益单元。

下图展示了该共发射极放大器的原理图（DC已置零）：

为了分析该放大器的参数，我们将其使用混合 $\pi$ 模型等效替代：

显然输入阻抗为：

$$R_{in}=r_{\pi }$$

这里 $R_{in}$ 不依赖于输出端，因此该放大器是单边放大器。

输出电压为：

$$v_o=-(g_m{v}_{\pi })(R_C||r_o)$$

因此开路增益为：

$$A_{vo}=-g_m(R_C||r_o)\simeq -g_m{R}_C$$

将信号源置地，则输出阻抗为：

$$R_o=R_C||r_o\simeq R_C$$

通过以上分析，我们总结一下三点：

1. 输入阻抗 $R_{in}=r_{\pi }=\beta /g_m$ 通常相对的比较低（在几千欧左右），而且直接正比于 $\beta$ 反比于 $I_C$ 。如果想获得更大的阻抗，可以减小 $I_C$ 但是同时减小了增益，这是需要设计师做出权衡的。一个更加有效的方法是使用电压缓冲器。
2. 输出阻抗通常在一个很高的值（在几千欧左右），降低 $R_C$ 来获得较低的输出阻抗并不是很好的主意，一个更加有效的方法是使用电压缓冲器。
3. CE放大器的增益很高，通常作为主要增益单元，但是频率却受到限制。

引入负载 $R_L$ 后，整体电压增益为：

$$G_v\equiv \frac{v_o}{v_{sig}}=-\frac{r_{\pi }}{r_{\pi }+R_{sig}}{g}_m(R_C||R_L||r_o)$$

另外一种增益的表达方法为：

$$A_v=-\alpha \frac{(R_C||R_L||R_o)}{r_e}$$

注意到 $(R_C||R_L||R_o)$ 是集电极支路上的总电阻， $r_e$ 是发射极支路上的总电阻，一个一般性的表述为：

$$A_v=-\alpha \frac{R_{tC}}{R_{tE}}$$

其中 $\frac{R_{tC}}{R_{tE}}$ 是集电极支路上的总电阻比发射极支路上的总电阻。

和MOSFET相比， $\alpha$ 存在的原因是集电极电流是发射极电流的 $\alpha$ 倍。当 $\alpha$ 无限接近于1的时候，可以表示为：

$$A_v\simeq -\frac{R_{tC}}{R_{tE}}$$

与MOSFET相同。

而对于整体增益来说：

$$G_v=-\beta \frac{(R_C||R_L||r_o)}{R_{sig}+r_{\pi }}$$

同样存在结论：

$$G_v=-\beta \frac{R_{tC}}{R_{tB}}$$

其中 $\frac{R_{tC}}{R_{tB}}$ 是集电极支路上的总电阻比基极支路上的总电阻。

带发射极电阻的共发射极放大器

之前在MOSFET中，我们学过引入源极电阻可以提升放大器性能，同样的在BJT中我们也可以引入发射极电阻，如图：

我们使用T模型进行分析：

此时发射极电流为：

$$i_e=\frac{v_i}{r_e+R_e}$$

则基极电流：

$$i_b=\frac{i_e}{(\beta +1)}$$

因此输入阻抗为：

$$R_{in}=(\beta +1)(r_e+R_e)$$

这是一个非常重要的结论。这说明：从基极看过去的输入阻抗是发射极总电阻的 $\beta +1$ 倍。这条结论被称为 电阻反射定律 。根本原因是，发射极电流是基极电流的 $\beta +1$ 倍，引入 $R_e$ 之后提升了输入阻抗，实际上提升的比例为：

$$r=\frac{(\beta +1)(r_e+R_e)}{(\beta +1)r_e}=1+\frac{R_e}{r_e}\simeq 1+g_m{R}_e$$

因此电子工程师可以通过选取 $R_e$ 的值来控制输入阻抗。

开路电压增益为：

$$A_{vo}=-\alpha \frac{R_C}{r_e+R_e}\simeq -\frac{g_m{R}_C}{1+g_m{R}_e}$$

因此 $A_{vo}$ 同样减少了 $1+g_m{R}_e$ 倍。

电压增益为：

$$A_v=-\alpha \frac{R_C||R_L}{r_e+R_e}$$

则整体电压增益为：

$$G_v=-\beta \frac{R_C||R_L}{R_{sig}+(\beta +1)(r_e+R_e)}$$

对于整体电压增益，相比无发射极电阻的情况，只是基极电阻增加了一项 $(\beta +1)R_e$ 。这虽然降低了整体电压增益，但是也对 $\beta$ 更加的不敏感，这是我们想要的结果。

另外一个优点是，允许更大的信号幅值，因为信号电压不再直接作用于BJT，而是作用于 $r_e+R_e$ ，这给出分压：

$$\frac{v_{\pi }}{v_i}=\frac{r_e}{r_e+R_e}\simeq \frac{1}{1+g_m{R}_e}$$

因此，BJT可以通过分压允许更大的信号幅值。

总结以下5点内容：

1. 输入电阻 $R_{in}$ 增大 $1+g_m{R}_e$ 倍。
2. 电压增益 $A_v$ 减小 $1+g_m{R}_e$ 倍。
3. 对于同样的非线性失真，输入信号 $v_i$ 可以增大 $1+g_m{R}_e$ 倍。
4. 整体电压增益对 $\beta$ 不敏感。
5. 高频响应得到改善。

在这个电路中， $R_e$ 引入了负反馈因子 $1+g_m{R}_e$ 。这个电阻也称 发射极退化电阻 。

共基极放大器

下图展示了共基极放大器的原理图：

为了方便分析，我们使用等效T模型进行分析，如图：

从等效电路中我们可以看出，输入阻抗为：

$$R_{in}=r_e$$

一般情况下输入阻抗在几十欧姆左右，CB放大器有极低的输入阻抗。

发射极电流为：

$$i_e=-\frac{v_i}{r_e}$$

则输出电压为：

$$v_o=-\alpha i_e{R}_C$$

开路电压增益为：

$$A_{vo}=g_m{R}_C$$

增益为正说明输入信号和输出信号无相位差。

输出阻抗为：

$$R_o=R_C$$

引入负载 $R_L$ 后，电压增益为：

$$A_v=g_m(R_C||R_L)$$

整体电压增益为：

$$G_v=\frac{r_e}{R_{sig}+r_e}{g}_m(R_C||R_L)=\alpha \frac{R_C||R_L}{R_{sig}+r_e}$$

虽然电压增益与CE放大器相同，但是由于其极低的输入阻抗，整体电压增益也较低，CB放大器只用在特殊的场合中。

共集电极放大器

最后一个放大器配置是共集电极放大器，也称为发射极跟随器，原理图如图所示：

其等效T模型为：

发射极电流为：

$$i_e=\frac{v_i}{r_e+R_L}$$

则基极电流为：

$$i_b=i_e/(\beta +1)$$

这给出输入电阻：

$$R_{in}=(\beta +1)(r_e+R_L)$$

我们可以通过电阻反射定律直接得到。

假设原来负载的电阻是 $R_L$ ，则使用CC放大器之后输入电阻变为了 $(\beta +1)R_L$ 提升了 $(\beta +1)$ 倍，CC放大器具有提升输入电阻的作用，因此我们可以利用CC放大器构建电压缓存器。

电压增益为：

$$A_v=\frac{R_L}{R_L+r_e}$$

令 $R_L=\infty$ 则理想开路增益为：

$$A_{vo}=1$$

与MOSFET中源极跟随器相同，CC放大器的理想开路增益同样为单位增益，因此也称为 发射极跟随器 。

将信号输入端置地，输出电阻为：

$$R_o=r_e$$

现在我们来计算整体增益：

$$G_v=\frac{(\beta +1)R_L}{(\beta +1)R_L+(\beta +1)r_e+R_{sig}}$$

整体增益稍低于单位增益，一种直观的解释整体增益的方法如下图的等效电路：

我们将发射极电阻 $R_L$ 和 $r_e$ 反射到基极端，得到上图的等效电路，因此输出电压正好是电阻 $R_{sig}$ 、 $(\beta +1)r_e$ 和 $(\beta +1)R_L$ 之间的分压值。

另外一种解释方法是下图的电路：

我们将电阻同时除以 $\beta +1$ ，这不会改变分压的结果，这其实就是将基极电阻 $R_{sig}$ 反射到发射极变成了 $R_{sig}/(\beta +1)$ ，这样整体增益还可以表述为：

$$G_v=\frac{(R_L}{R_L+r_e+R_{sig}/(\beta +1)}$$

这将原来的信号内阻减小了 $\beta +1$ 倍，同样是电压缓冲器的作用。

还需要注意一点的是，虽然CC放大器虽然不提供电压增益，但是将电流放大了 $\beta +1$ 倍。

一种更加抽象的描述CC放大器的方法是使用戴维南等效方法，如下图：

此时我们将输入电压信号和CC放大器看做是一个新的戴维南等效信号源，其电压为 $G_{vo}{v}_{sig}$ 其中 $G_{vo}$ 是整体开路电压增益，对于CC放大器来说 $G_{vo}=1$ ，如图：

$R_{out}$ 是整体输出阻抗，和 $R_o$ 不同， $R_o$ 是将信号源置地得到的电阻，而 $R_{out}$ 是将 $v_{sig}$ 置零得到的电阻，如图：

因此：

$$R_{out}=r_e+\frac{R_{sig}}{\beta +1}$$

最终，下图展示了 $R_{in}$ 与 $R_{out}$ 的关系：

输入阻抗 $R_{in}$ 由电阻 $r_e$ 和 $R_L$ 反射得到，同样的的 $R_{out}$ 也由 $R_{sig}$ 反射得到。

我们发现，不像CE和CB放大器那样，发射极跟随器不是单边放大器，因为 $R_{in}$ 依赖于 $R_L$ ，并且 $R_{out}\ne R_o$ 和 $R_{sig}$ 有关。

总结

下面的表格总结了以上四种放大器模型的所有参数：