电子技术——分立BJT放大电路

电子技术——分立BJT放大电路

到目前为止，我们已经学习过三种BJT放大器配置和BJT的分立DC偏置方案，在本节，我们将其组合起来，建立完整的分立BJT放大电路。

DC偏置方案

本节我们使用的DC偏置方案是恒流源偏置，如图：

共发射极放大器

下图展示了共发射极放大器：

各个电容的作用已经在MOSFET章节讲述，本节不在赘述。该原理图的AC分析电路为（使用混合 $\pi$ 模型）：

与之前我们学习过简化版原理图唯一不同的是电阻 $R_B$ 的存在，则此时输入阻抗为：

$$R_{in}=R_B||r_{\pi }$$

若 $R_B\gg r_{\pi }$ 那么我们就可以在计算上忽略其存在，否则也需要计算进来。

带发射极电阻的共发射极放大器

下图展示了带发射极电阻的共发射极放大器的原理图：

为了进行分析，我们建立等效 T 模型，如图所示：

此时因为 $R_B$ 的存在，输入阻抗变为：

$$R_{in}=R_B||[(\beta +1)(r_e+R_e)]$$

共基极放大器

下图展示了共基极放大器的原理图和等效的T模型：

其等效T模型与我们之前学习过的简化模型完全一致，这里不在赘述。

发射极跟随器

发射极跟随器的原理图如图所示：

其等效的T模型如图所示：

此时因为 $R_B$ 的存在，输入阻抗变为：

$$R_{in}=R_B||(\beta +1)(r_e+R_L)$$

因此，理想情况下 $R_B\gg (\beta +1)(r_e+R_L)$ 。