电子技术——BJT放大器的DC偏置

电子技术——BJT放大器的DC偏置

之前我们学习过MOSFET放大器的DC偏置，同样的BJT放大器也需要DC偏置。DC偏置决定了BJT放大器性能和稳定性。

在MOSFET章节我们就已经学习过，对于BJT也同理，通过固定 $V_{BE}$ 来固定 $I_E$ 或者通过固定 $I_B$ 来固定 $I_E$ 通常并不是什么好注意，更何况BJT的有限 $\beta$ 的影响。

经典分立电路偏置方案

下图几乎是所有分立电路使用的分压偏置方案。在基极端使用 $R_1$ 和 $R_2$ 两个分压电阻获得想要的基极电压，并且在发射极引入 $R_E$ 电阻。

下图展示了等效的戴维南电路：

在这里：

$$V_{BB}=V_{CC}\frac{R_2}{R_1+R_2}$$

$$R_B=R_1||R_2$$

在图中的基尔霍夫环 $L$ 中，我们可以得到发射极电流：

$$I_E=\frac{V_{BB}-V_{BE}}{R_E+R_B/(\beta +1)}$$

为了让 $I_E$ 减小对温度和 $\beta$ 的依赖性，一个良好的分压设计必须满足：

$$V_{BB}\gg V_{BE},R_E\gg \frac{R_B}{\beta +1}$$

我们首先来看第一个条件， $V_{BB}\gg V_{BE}$ 这沼化了对 $V_{BE}\simeq 0.7V$ 的影响，但是在给定的 $V_{CC}$ 下如果将 $V_{BB}$ 设计的太高，电压增益和较高的最大允许信号幅值就无法得到保证。因此，设计师做出的权衡一般为，让 $V_{BB}$ 是 $\frac{1}{3}{V}_{CC}$ ，让 $V_{CB}$ （或 $V_{CE}$）是 $\frac{1}{3}{V}_{CC}$ ，让 $I_C{R}_C$ 是 $\frac{1}{3}{V}_{CC}$ 。

第二个条件， $R_E\gg \frac{R_B}{\beta +1}$ 则是沼化了对 $\beta$ 的影响，这可以通过降低 $R_B$ 的阻值做到，但是这会增大分压支路上的电流，增大功率的消耗。而且还会降低放大器的输入阻抗，这也是同样需要设计师做出权衡的。另外，因为基极电流的原因，分压值会受到 $\beta$ 的影响，若想降低 $\beta$ 的影响，可以使得分压支路上的电流保持一个理想的值，一般为 $I_E$ 或 $0.1I_E$ 左右。

而且，这个设计的 $R_E$ 电阻引入了负反馈调节，假设 $I_E$ 增大，那么 $V_E$ 就会增大，这会减小 $V_{BE}$ 的值，最终降低 $I_E$ 的值。

经典双电源分立电路偏置方案

如果条件允许，可以使用双电源的话，使用下面更简单的双电源分立电路偏置方案：

此时发射极电流为：

$$I_E=\frac{V_{EE}-V_{BE}}{R_E+R_B/(\beta +1)}$$

沼化条件和单电源相同。需要注意的一点是若基极同样的AC地（例如CB放大器），那么 $R_B$ 电阻可以省略，否则在基极耦合的情况下 $R_B$ 是必须的。

使用集电极-基极反馈电阻偏置

下图展示了一种适用于CE放大器简单有效的偏置方法：

我们在集电极和基极之间引入了负反馈电阻 $R_B$ 。通过对电路的分析：

$$V_{CC}=I_E{R}_C+I_B{R}_B+V_{BE}=I_E{R}_C+\frac{I_E}{\beta +1}{R}_B+V_{BE}$$

则发射极电流为：

$$I_E=\frac{V_{CC}-V_{BE}}{R_C+R_B/(\beta +1)}$$

沼化条件和分压偏置相同，但是 $V_{CB}$ 收到 $R_B$ 的限制：

$$V_{CB}=I_B{R}_B=I_E\frac{R_B}{\beta +1}$$

使用恒流源偏置

几乎最稳定也是最广泛的偏置方案就是恒流源，如下图：

此时发射极电流 $I_E=I$ 。电阻 $R_B$ 建立了DC地。

和MOSFET相同，BJT也有电流镜：

具体的电流镜设计将在下一章学习。