电子技术——共栅和共源共栅放大器的高频响应

电子技术——共栅和共源共栅放大器的高频响应

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我们在之前学过无论是是CS放大器还是CE放大器,都可以看做是一个带通(IC低通)滤波器。在高频处的响应收到输入电容 C i n C_{in} Cin 的限制(主要是米勒效应)。因此,若想扩大放大器的带宽,我们必须减小米勒效应,一种方案就是共栅放大器。

CG放大器的高频响应

下图展示了CG放大器的高频模型:

CG放大器
为了一般性,我们在输出端引入了电容 C L C_L CL 表示负载电容,我们发现在CG配置中,我们发现 C g d C_{gd} Cgd C L C_L CL 是并联关系,在以后的分析中我们将其捏合在一起分析。

我们发现上面三个电容,每一个电容的一端都和地相连,因此每一个电容都不是桥路电容,因此不受米勒效应的影响。这说明,CG放大器的带宽要比CS放大器的带宽要宽很多,尤其是输入源阻抗很大的时候。为了分析其高频响应,我们使用T模型分析:

T模型
其中,为了方便分析,我们忽略 r o r_o ro

T模型
我们知道这个电路应该存在两个极点,对于输入端的低通型STC:

f P 1 = 1 2 π C g s ( R s i g ∣ ∣ 1 g m ) f_{P1} = \frac{1}{2 \pi C_{gs}(R_{sig}||\frac{1}{g_m})} fP1=2πCgs(Rsig∣∣gm1)1

对于输出端的低通型STC:

f P 2 = 1 2 π ( C g d + C L ) R L f_{P2} = \frac{1}{2 \pi (C_{gd} + C_L)R_L} fP2=2π(Cgd+CL)RL1

通常情况下 f P 2 f_{P2} fP2 要比 f P 1 f_{P1} fP1 小,因此 f P 2 f_{P2} fP2 为主导极点。无论怎样说,两个极点都要比CS的极点大,因此CG放大器的具有更大的带宽。

或者,我们可以使用开路时间常数法得到:

f H = 1 2 π τ H = 1 / ( 1 f P 1 + 1 f P 2 ) f_H = \frac{1}{2 \pi \tau_H} = 1 / (\frac{1}{f_{P1}} + \frac{1}{f_{P2}}) fH=2πτH1=1/(fP11+fP21)

在IC中,必须考虑 r o r_o ro ,此时我们使用开路时间常数法,首先考虑 C g s C_{gs} Cgs

开路时间常数法
得到:

R g s = R s i g ∣ ∣ R i n R_{gs} = R_{sig} || R_{in} Rgs=Rsig∣∣Rin

这里的 R i n R_{in} Rin 是CG放大器的输入阻抗。

接下来考虑电容 C g d C_{gd} Cgd

开路时间常数法
得到:

R g d = R L ∣ ∣ R o R_{gd} = R_L || R_o Rgd=RL∣∣Ro

这里 R o R_o Ro 是放大器的输出阻抗(包括 R s i g R_{sig} Rsig )。

最后计算 f H f_H fH 即可。

总之,CG放大器的高频响应要比CS放大器优秀,但是由于CG放大器的低输入阻抗,导致整体增益较小。然而,CG可以和CS放大器一起工作,组成共源共栅放大器。

共源共栅放大器的高频响应

下图展示了共源共栅放大器的高频响应模型:

共源共栅放大器的高频响应模型
为了估算共源共栅放大器的 f H f_H fH 我们使用开路时间常数法:

  1. 考虑电容 C g s 1 C_{gs1} Cgs1 看到的电阻为 R s i g R_{sig} Rsig
  2. 考虑电容 C g d 1 C_{gd1} Cgd1 看到的电容为 R g d 1 = ( 1 + g m 1 R d 1 ) R s i g + R d 1 R_{gd1} = (1 + g_{m1}R_{d1})R_{sig} + R_{d1} Rgd1=(1+gm1Rd1)Rsig+Rd1 其中 R d 1 R_{d1} Rd1 D 1 D_1 D1 对地的电阻等于 R d 1 = r o 1 ∣ ∣ R i n 2 = r o 1 ∣ ∣ r o 2 + R L g m 2 r o 2 R_{d1} = r_{o1} || R_{in2} = r_{o1} || \frac{r_{o2} + R_L}{g_{m2} r_{o2}} Rd1=ro1∣∣Rin2=ro1∣∣gm2ro2ro2+RL
  3. 考虑电容 C d b 1 C_{db1} Cdb1 C g s 2 C_{gs2} Cgs2 看到的电阻为 R d 1 R_{d1} Rd1
  4. 考虑电容 C L + C g d 2 C_L + C_{gd2} CL+Cgd2 看到的电阻为 R L ∣ ∣ R o R_L || R_o RL∣∣Ro 其中 R o R_o Ro 是共源共栅放大器的输出电阻 R o = r o 2 + r o 1 + g m 2 r o 2 r o 1 R_o = r_{o2} + r_{o1} + g_{m2}r_{o2}r_{o1} Ro=ro2+ro1+gm2ro2ro1

计算 f H f_H fH 即可。

权衡带宽和增益

为了说明如何权衡带宽和增益,我们观察总体时间常数:

τ H = R s i g [ C g s 1 + C g d 1 ( 1 + g m 1 R d 1 ) ] + R d 1 ( C g d 1 + C d b 1 + C g s 2 ) + ( R L ∣ ∣ R o ) ( C L + C g d 2 ) \tau_H = R_{sig}[C_{gs1} + C_{gd1}(1 + g_{m1}R_{d1})] + R_{d1}(C_{gd1} + C_{db1} + C_{gs2}) + (R_L || R_o)(C_L + C_{gd2}) τH=Rsig[Cgs1+Cgd1(1+gm1Rd1)]+Rd1(Cgd1+Cdb1+Cgs2)+(RL∣∣Ro)(CL+Cgd2)

首先第一项由共栅放大器的米勒效应贡献,若信号源的内阻较大,此时高频响应由第一项主导。此时想要增加放大器的带宽,我们可以降低负载阻抗 R L R_L RL 进而降低 R d 1 R_{d1} Rd1 减小米勒效应。但是若将 R L R_L RL 降低我们知道电压增益也会随之降低。

R s i g R_{sig} Rsig 较小的时候,第一项的米勒效应就不再是主导因素。此时可以使用较大的 R L R_L RL 来增大电压增益。此时第三项将是主导项,为了进一步说明,我们假设 R s i g = 0 R_{sig} = 0 Rsig=0 并且忽略第二项:

τ H ≃ ( C L + C g d 2 ) ( R L ∣ ∣ R o ) \tau_H \simeq (C_L + C_{gd2})(R_L || R_o) τH(CL+Cgd2)(RL∣∣Ro)

到这里我们就可以和CS放大器比较,如下图:

CS放大器比较
上图中,我们假设共源共栅放大器中 R L = A 0 R L R_L = A_0R_L RL=A0RL 我们发现共源共栅放大器的电压增益比CS放大器的大 A 0 A_0 A0 倍,但是 f 3 d B f_{3dB} f3dB 比 CS放大器小 A 0 A_0 A0 倍。但是单位增益不变。如图:

CS放大器比较

BJT共射共基放大器的高频响应

BJT共射共基放大器的高频响应与MOS的基本一致,如图:

BJT共射共基放大器的高频响应

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