实验十四、共源放大电路的频率响应

该文通过Multisim仿真分析了共源放大电路的频率响应。研究发现,增大耦合电容Cs能改善低频特性;同时,场效应管漏极静态电流IDQ的增加会导致增益增大,上限频率减小。仿真内容包括改变电容值测量下限频率以及调整IDQ观察对上限频率的影响。
摘要由CSDN通过智能技术生成

一、题目

利用 Multisim 从下列两个方面研究图1所示电路的频率响应。在这里插入图片描述 图 1    共源放大电路 图1\,\,共源放大电路 1共源放大电路(1)为改善低频特性,应增大三个耦合电容中的哪一个最有效。
(2)场效应管的漏极静态电流对上限频率的影响。

二、仿真电路

搭建图1所示电路,并接入测试仪器,如图2所示。电路场效应管采用虚拟 N 沟道耗尽型 MOS 管,便于设置参数。设置虚拟 MOS 管的沟道长度 Channel legenth = 100 μm,沟道宽度 Channel width = 100 μm,设置模型参数 VT =  U G S ( t h ) = − 2   V \textrm{VT = }U_{GS(th)}=-2\,\textrm V VT = UGS(th)=2V KP = 1 ∗ 1 0 − 3   A/V 2 \textrm{KP} = 1*10^{-3}\,\textrm{A/V}^2 KP=1103A/V2 CGSO = 1 ∗ 1 0 − 8   F/m \textrm{CGSO} = 1*10^{-8}\,\textrm{F/m} CGSO=1108F/m CGDO = 2 ∗ 1 0 − 8   F/m \textrm{CGDO}=2*10^{-8}\,\textrm{F/m} CGDO=2108F/m
用万用表测量场效应管的栅极、源极和漏极静态电位,可判断出其工作状态;用函数发生器做信号源,并在放大电路输入端接 2   kΩ 2\,\textrm{kΩ} 2,等效为信号源内阻;用波特图仪测量幅频特性。在这里插入图片描述 图 2    仿真电路 图2\,\,仿真电路 2仿真电路

三、仿真内容

(1)分别改变三个电容的容值,测量其下限频率;
(2)为方便调解 I D Q I_{DQ} IDQ,在场效应管的栅极于电源之间加电阻 R 1 R_1 R1,构成静态工作点稳定电路,如图3所示。测试不同场效应管的漏极静态电流对上限频率的影响。在这里插入图片描述
图 3    静态工作点稳定电路 图3\,\,静态工作点稳定电路 3静态工作点稳定电路

四、仿真结果

(1)三个电容变化时对低频特性的影响如表1所示。 表 1    三个电容对低频特性的影响 表1\,\,三个电容对低频特性的影响 1三个电容对低频特性的影响

C 1 C_1 C1/μF C 2 C_2 C2/μF C s C_s Cs/μF f L f_L fL/Hz f L f_L fL 的影响
10101027.346原参数
20101027.346基本不变
10201027.346基本不变
10102013.984明显减小

(2)表2为场效应管的漏极静态电流对上限频率的影响。 表 2    漏极静态电流对上限频率的影响 表2\,\,漏极静态电流对上限频率的影响 2漏极静态电流对上限频率的影响

R 1 R_1 R1/MΩ R s 1 R_{s1} Rs1/kΩ U G Q U_{GQ} UGQ/mV U S Q U_{SQ} USQ/mV U D Q U_{DQ} UDQ/V I D Q I_{DQ} IDQ/mA中频增益/dB f H f_H fH/MHz
∞ \infty 10763.9327.3610.76399.73436.402
501293.829930.0065.70.9310.58835.755

五、结论

(1)由表1可知,为改善低频特性,应增大 C s C_s Cs
(2)由表2可知, I D Q I_{DQ} IDQ 增大,增益变大,上限频率减小。

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