jk_101的博客

参考链接：Datasheet catalog for integrated circuits, diodes, triacs, and other semiconductors, view

（all-or-nothingrelay），将带规定精度的特性量为动作值时进行动作的继电器分为测量继电器（measuring relay）。另 外在闭锁形继电器（enclosed relay）中，还有一种密闭形继电器，该继电器 不使用焊接，而是采用简易方法来密闭。：按电磁铁的构造分类， 电容器板以支点为中心进行旋转运动， 根 据其动作， 直接或者间接进行接点通断的继电器。1.有时会由于负载的性质、继电器的特性的混乱等不能得到预期的效果， 甚至出现相反的效果， 因此。：通过直流输入进行动作的继电器。

例如，在电源电路中，可以通过电流采样电阻实现对负载电流的测量，通过电压采样电阻实现对电源电压的测量，以此来判断电源的工作状态是否正常。采样电阻广泛应用于电路中的信号采样、电流检测、电压测量等方面，例如电源电路中的电流检测、电压测量，电机控制中的电流检测，充电器中的电流测量等。对于电压采样电阻，可以利用电压分压公式计算被测电路的电压大小，即U2=U1×(R2/(R1+R2))，其中U1为被测电路的电压，U2为采样电阻两端的电压，R1为被测电路与采样电阻串联的电阻，R2为采样电阻的电阻值。

3）I/O驱动能力的差异来源于MOS管自身的特性，要想过电流能力大，MOS管体积就要大，芯片所需的面积就会更大，成本自然也会更高。1）I/O驱动能力是指在同时满足Voh(输出引脚为逻辑1时的最小电压值) 和 Vol(输出引脚为逻辑0时的最大电压值）前提下，最大可以输出和吸收的电流大小。道理同上，流过N-MOS电流越大，N-MOS产生压降越大，I/O口电压越大。2）如果某I/O的驱动能力是5mA，并不是表示它输出不了超过5mA的电流，只是当输出电流超过5mA之后，它的输出电压会下降，电压会小于Voh。

IGBT通过在单个器件中组合用于控制输入的隔离栅极FET和作为开关的双极功率晶体管，将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和电压能力相结合。IGBT与MOSFET一样通过电压控制端口，在N沟道型的情况下，对于发射极而言，在栅极施加正电压时，集电极-发射极导通，流过集电极电流。当向发射极施加正的集电极电压VCE，同时向发射极施加正的栅极电压VGE时，IGBT便能导通，集电极和发射极导通，集电极电流IC流过。因此，有必要在了解工作环境和关断时的最小栅极电阻值后，才进行Rg和 VGE设计。

RMII是简化的MII接口，在数据的收发上它比MII接口少了一倍的信号线，所以它一般要求是50兆的总线时钟。MII支持10兆和100兆的操作，一个接口由14根线组成，它的支持还是比较灵活的，但是有一个缺点是因为它一个端口用的信号线太多，如果一个8端口的交换机要用到112根线，16端口就要用到224根线，到 32端口的话就要用到448根线，一般按照这个接口做交换机，是不太现实的，所以现代的交换机的制作都会用到其它的一些从MII简化出来的标准，比如 RMII、SMII、GMII等。它实现了一个数据链路层。

对于共模干扰的消除，抑制它最直接的方法就是滤波。共模滤波器的功能就是允许某一特定频率的信号顺利通过，而其它频率的信号则要受到较大的抑制，它实质上是一个选频电路，它切断了电磁干扰沿信号线或电源线传播的路径，另外它还是压缩干扰频谱的一种有效方法，当干扰频谱不同于有用信号的频带时，可以用滤波器将无用的干扰信号滤除。：在电路中串入共模电感，当有共模干扰电流流经线圈时，由于共模干扰电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模干扰电流，达到滤波的目的。

图中Q1为NMOS管，当电源正接时，MOS管的体二极管导通，源极S的电压为0.7V左右，栅极G的电压VBAT，则Vgs =（VBAT-0.6）*R5/(R5+R3)，当选取合适的R3和R5值，使Vgs达到MOS管的开启电压，则MOS管DS极导通，体二极管被短路，系统通过MOS管形成回路。图中D5为稳压管，防止Vgs电压过大导致MOS被击穿，C1电容的作用是使电路有个软启动的过程，电流通过R3对C1充电，使G极电压逐步建立。假如系统电流2A，二极管压降0.7V，则二极管上的功耗为1.4W，发热量大，效率低。

地是参考0电位，所有电压都是参考地得出的，地的标准要一致，故各种地应短接在一起。而随着时间推移，大规模工业生产中越来越多的利用到贴片元器件，这也使得生产贴片单面电路板的时候遇到了同样的问题，飞线将很难焊接到贴片的焊盘里，这时候采用0欧电阻可以在较细的线路上“飞跃”过去，减少设计的难度。还有就是不同尺寸0欧电阻允许通过电流不同，一般0603的1A，0805的2A，所以不同电流会选用不同尺寸的还有就是为磁珠、电感等预留位置时，得根据磁珠、电感的大小还做封装，所以0603、0805等不同尺寸的都有了。

工作原理是当电源正常接入是，MOSFET导通，当电源反接后，MOSFET截止，达到反接保护效果。当电源正常接入时，二极管不工作，电流通过熔断器流入电路，当电源反接后，二极管瞬间导通，电源正负极近似短路。所以无论正反接，电路都可以工作，但是，有优点就会有缺点，在工作过程中，全桥整流器上会产生1.5V左右的电压降。对供电电压有严格要求的电路，就不推荐使用，0.7V的电压降可能会导致电路不工作。单个二极管串联到电源输入端，防反接电路原理是利用二极管的单向导电性，正向导通，反向截止。废话不多说，直接上干货！

由于MOS管的制作工艺，决定了本身GS之间有结电容以及GD之间有弥勒电容，DS也有寄生电容，这使得MOS管的驱动变得不那么简单。波形的上升沿和下降沿非常缓慢，甚至可能近似三角波，可尝试将栅极驱动电阻减小，如果变化不大，很可能是驱动芯片的驱动能力不足引起。一般认为MOS管是电压驱动型，所以驱动MOS管，只需要提供一定的电压，不需要提供电流。肉眼可见这也是方波，上升沿和下降沿都比较陡峭，开关速度比较快，管子损耗小，只是管子有略微的震荡。一般认为三极管是电流驱动型，所以驱动三极管，要在基极提供一定的电流。

我们在测量环路的波特图时，是从输出电压上面，注入一个交流的小信号，通常来说这个信号是远远小于我们的输出电压，如果注入信号太大的话，它就会影响我们电路的一个正常工作，有可能导致开关波形出现，上面所示的一个丢波现象，此时得到的波特图是没有任何意义的。电路软启动的时间的确定，主要取决于采用较少输出电容，就可以减小电路的冲击电流，为了正常启动，我们必须避免冲击电流过大，触发过流保护，或者导致输出电压出现明显的下跌，其次，如果是多级电路，要按照一定的秩序去启动各路输出，来避免同样的问题。那如何设置注入信号的大小呢？

在我们设计电路的时候，并不是一个芯片的所有信号都会被用到，这些未使用的输入信号也应该连接在一起或分别连接对应的上/下拉电阻，这些未使用的输入不应该只是浮动。

但此时我们发现此芯片的使能引脚一直到时刻B都是使能的，因此输出被再次使能，输出电压被尝试再次拉高，但因为这时候输入电压的进一步下降导致输出已经无法满足负载的消耗，因此输出电压只能在正常输出与低电位之间不断开关，即图 1、图2所展示的波形。同事在测上下电的时候，发现输出电压在上下电会出现震荡的现象，如图4所示，放大后观察发现，上电时刻震荡发生时，EN使能引脚满足芯片启动要求，但是这时输入电压仍较低，导致芯片打开后就立即被后端负载拉低，周而复始，直到使能引脚和输入电压同时满足芯片工作设计电路要求时震荡才消失。

由于R1和R2之间是导线所以UB1=UB2.PNP要求e端电位大于b端.所以Q2处于截止状态.交流时,当正半周时,Q1导通,Q2的Ube反偏的更大,截止.所以经由Q1放大输出正半周信号.由于Q1,Q2参数相同,且经由Q2c端接地.所以射极输出位置的电位=Vcc/2也就是说每个三极管的集电极电位=vcc/2.添加的R4,D1,D2的作用是静态时Ub2。正半周时Q1导通,Q2截止.如上面所述.负半周,Q1截止,Q2导通.由于C2在正半周充电,此时开始放电,C2左端为+,右端为-,输出负半周信号.

从公式中可以看出，通过电容的电流迅速升高，然后按照上述公式，程倒指数下降，而下降的速度和指数的幂有关，幂越大，下降的越快，而当幂当中的τ，也就是RC的值越小时，电容电流下降的越快，相反，当RC，也就是电容的值越大时，电容电流下降的越慢，如上图，当电容达到50nF时，几乎能保持相当的时间了，足够满足100Mhz以上的信号了。当然电容不是越大越好的原因之二，就是电容大了之后封装也会大，从而PCB的焊盘也会大，这对信号的阻抗会造成较大影响，甚至会引起谐振，关于电容焊盘以及电容位置的影响，我们下期文章介绍。

电场能和磁场能LC电路里面就不老实了，开始互相转化起来，随着电荷的流动，一会儿由电容里面的电场能转变为了线圈里面的磁场能，一会儿又由线圈里面的磁场能转换为了电容里面的电场能，此赠彼减，玩的不亦乐乎。但是由于LC电路中不可能存在完全理想无耗的电感和电容，那么，电磁能量就会在LC谐振回路中做阻尼振荡，这个阻尼值就是消耗在电阻上的电磁能量。当电路工作在谐振频率f0时，根据上面f0的公式，带入阻抗Z，可以得到Z=0.也就是说，LC串联谐振电路，感抗和容抗相互抵消，对外呈现短路特性，电路中的电流最大。

如下图 3 是用LTspice进行仿真的图形，D1，D2是肖特基二极管，其正向导通压降Vf在0.7V左右。当输入信号V2大于3.3+Vf时，肖特基二极管D1导通，此时OUT端电压被钳位在3.3+Vf，因此在4V左右；当输入信号V2小于Vf时，肖特基二极管D2导通，此时OUT端电压被钳位在-Vf，因此在-0.7V左右。分别对如上两种方式仿真，结果如下图所示：，可以看到V2=5V时，OUT端在3.95V左右，V2=-5V时，OUT端在690mV左右。图 5 输入信号源V2=-5V时的仿真结果。

无论是使用不同的安全接地点，还是安全接地点和大地，最常见的示例之一是由电源(60Hz)的交流电在接地回路中感应的电流引起的蜂鸣声/嗡嗡声。最常见的问题之一就是所谓的接地回路反馈，这是一种电气现象，当系统及其外围设备中的不同电路具有不同的连接或返回接地的路径时，通常会产生这种现象。计算机、数据记录器和数据采集/控制系统通常通过它们的交流电源和插头上的接地引脚连接到地面，插头上的接地引脚插入墙上的插座，共用公共建筑物布线中的地线。或者由于接地路径中的电流和电阻，不同设备的接地点可能不处于相同的电位电压。

在本文中，主要介绍信号相关的四类问题：信号过冲、毛刺（噪声）、回沟（台阶）、信号边沿缓慢。3、数据信号由于一般是在数据的中间采样，回勾的影响不是很大（除非速率很高，建立保持时间1～2ns，这时需要考虑回勾对数据的影响）；1、主要是时钟类信号上的回勾有危害， 可能会使得采样到多余的数据（相当于多了一拍时钟），影响了时钟信号上升沿和下降沿的单调性；如下图是不同匹配电阻下同一信号的上升沿波形，可以看出，通过调节源端匹配电阻，可以减缓信号上升沿。2、 增加电阻匹配，参考做法是源端串电阻或者末端并电阻，减 少过冲；

通过上述的实验，可以知道MOS开关电路的有关参数设置不对时会引起系统方面的问题，要按实际使用情况来调整，有时候一些电路不是拿来就能用的，各参数间要配合好才能达到我们所想要的结果。从第一张图看，系统上电后，功能模块电源开通下又立马掉电了，第二张图是将开关电路输出电压放大来看时的情况，模块电源开通的瞬间把输入电源的电压拉低了，且低于了4.0V，所以系统开不了机。这里可能的原因是模块功耗较大，将电源电压拉下来了，又可能是开关电路本身的原因。2. MOS管开关线路各参数设置一（对各电阻电容的参数重新配置），如图。

由于不同模式下，上升沿的最大时间及总线负载最大容限要求不同，标准模式、快速模式、高速模式分别是：1000ns/400pF、300ns/400pF、120ns/550pF。由于I2C总线端口的高电平是通过上拉电阻实现，线上的电平从低变高时，电源通过上拉电阻对线上负载电容CL充电，这需要一定的上升时间。I2C一般为开漏结构，需要在外部加上拉电阻，常见的阻值有1k、1.5k、2.2k、4.7k、5.1k、10k等。那么，就可以求出上拉电阻R的阻值。由上式可得，当VDD不变， VOL取最大值时，上拉电阻有最小值。

帮朋友做镍氢充电器，利用镍氢电池充满电时电压有一个微小的下降这个特点来识别是否已经充满，比如1.2V的镍氢电池，快充满的时候，电压在1.35V，之后逐步下降，电压可以低于1.30V。所以需要单片机间歇检测电池两端电压，大概充3秒钟电再停止，之后检测电池两端电压。所以对于存在阶跃突变的反馈系统中，我们要尽可能的让电路工作在180度上，提高系统再一次平衡的速度。

薄膜为基础的场效应管结构介绍完了，然后所谓半导体嘛，自然就是说咱们的这些个栅极G、漏极D、源极S以及氧化物薄膜的办公室，当然他们的办公室不是随随便便选个场地就玩完，他们是选中了以低掺杂浓度的P衬底为场地，为了不坏事，场地和所谓的G、D、S尽量不要发生办公室恋情，至少不要影响到G、D、S干活，因此在NMOS中的P衬底所谓的低掺杂就是说正常情况下基本不导电，只是提供场地的作用（当然，都说日久生情，我们的衬底有时候也会对MOS管产生一些情愫和影响，我们在后面的MOS管的二级效应中，会继续来聊聊这段孽缘）。

太大的话，会影响IIC的通信速度，因为总线上还有负载电容，电阻太大，电容充放电时间就会久，影响上升沿、下降沿时间。补充说明，上面介绍的上下拉电阻是对MCU IO输入来说的，输出也可能会用到，比如对于开漏输出的IO，就必须加上上拉电阻，否则输出不了高电平。它只有一个NMOS，当控制输出0时，NMOS导通，Output Pin输出0，但是当控制输出1时，NMOS截止，输出的是高阻态。另外阻值也不能太大，阻值太大，上拉/下拉的作用就变弱，越大越接近于开路，开关断开时IO就越接近于浮空状态，就越容易受干扰。

一般说法是上拉增大电流，下拉电阻是用来吸收电流（抵抗干扰）。上拉是将电压拉高，下拉是将电压拉低，主要用在三极管或场管的控制极的电位，因为只有满足电压差才会工作。1、 概念：将一个不确定的信号，通过一个电阻与地GND相连，固定在低电平；1、概念：将一个不确定的信号，通过一个电阻与电源VCC相连，固定在高电平；3、当一个接有上拉电阻的IO端口设置为输入状态时，它的常态为高电平；3、当一个接有下拉电阻的IO端口设置为输入状态时，它的常态为低电平；总之：2者共同的作用是：避免电压的“悬浮”，造成电路的不稳定；

答：额定功率是指电源在稳定、持续工作下的最大负载，额定功率代表了一台电源真正的负载能力，比如，一台电源的额定功率是300W，其含义是每天24小时、每年365天持续工作时，所有负载之和不能超过300W。但实际上，电源都有一定的冗余，比如额定功率300W的电源，在310W的时候还能稳定正常工作，但尽量不要超过额定功率使用，否则可能导致电源或其他电脑部件因为过流而烧毁。答：主要有交叉负载，浪涌，输入电压，纹波噪音，输出短路，过功率，转换效率，功率因数，响应时间，时序，噪音，传导辐射，漏电流，高低温测试等。

in是一个斜坡输入信号，由于DAC的输出，结果。设理想ADC转换器内的量化误差为。in是理想ADC的输入信号。in是正弦波，峰值幅度为。的差，也是噪声信号，（转自Xilinx）

三极管电路

电容计算公式

六类双绞线在外形上和结构上与五类或超五类双绞线都有一定的差别，不仅增加了绝缘的十字骨架，将双绞线的四对线分别置于十字骨架的四个凹槽内，而且电缆的直径也更粗。六类双绞线在外形上和结构上与五类或超五类双绞线都有一定的差别，不仅增加了绝缘的十字骨架，将双绞线的四对线分别置于十字骨架的四个凹槽内，而且电缆的直径也更粗。损耗的不同，六类线和超五类网线一个重要的不同点是改善了串扰及回波损耗方面的性能。从网线的线芯来看，5类线、6类线，7类线，线芯的直径都有所增加，使用的铜质越优质，传输的速率越快，越稳定。

电子管或者晶体管是需要偏置的，就是决定工作点的直流供电条件，例如电子管的栅极相对于阴极往往要求加有负压，为了在一个直流电源下工作，就在阴极对地串接一个电阻，利用板流形成阴极的对地正电位，而栅极直流接地，这种偏置技术叫做“自偏”，但是对（交流）信号而言，这同时又是一个负反馈，为了消除这个影响，就在这个电阻上并联一个足够大的点容，这就叫旁路电容。去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声，数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。

⑤ 如图 2.20 （ e ）所示：当对发射结施加电压在 1V 或者 1V 以上时，相当于闸门已完全打开的状态时，水龙头底部所有的水已经可以通过水嘴流出来了，此时， ec 之间的电阻值也下降为“ 0 ”，或者说很小，可以或略不计， ec 之间的电流处于饱和状态，或者说是开关的 ON 状态。（1）基极有电流流动时；在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。

电源输入 / 输出滤波电容，主要用于稳定输出，对稳压有利。

DDR是Double Data Rate的缩写，即“双比特翻转”。DDR是一种技术，中国大陆工程师习惯用DDR称呼用了DDR技术的SDRAM，而在中国台湾以及欧美，工程师习惯用DRAM来称呼。DDR的核心要义是在一个时钟周期内，上升沿和下降沿都做一次数据采样，这样400MHz的主频可以实现800Mbps的数据传输速率。

因同相端接地，反相端为虚地点，即N点为零电位，R2、R3上没有电流，可以认为R2、R3 存在与否对电路无影响，即可以拿掉，等效电路就和图一（a）的基本反相比例电路相同，直接套用反相比例电路公式，得Ui1单独作用时的输出：Uo1=-Rf/R1*Ui1;当Ui2单独作用时，利用戴维南定理，将电路等效为图五(c)所示电路，其为基本同相比例电路，P点开路电压Us=R/(R+R)*Ui2=0.5Ui2;按图三反相叠加电路的结论，得该电路输出为：Uo=-(Uo1+Ui1)=Ui2-Ui1 ,实现了信号的求差运算。

器件的信噪比（SNR）和动态范围多数时候被定义为同一个值，即：动态范围 ＝SNR＝RMS满量程/RMS噪声 并且经常使用dB作为单位，即动态范围（dB） ＝ SNR（dB） ＝ 20*Log10 （RMS满量程/RMS噪声）其实，对于ADC来说，这两样都是非常重要的参数，往往也决定了芯片价格，显然，我们都清楚同一个系列，16位AD一般比12位AD价格贵，但同样是12位AD，不同厂商间又以什么参数区分性能呢？比如：一个10位的ADC，其所能分辨的最小量化电平为参考电平（满量程）的2的10次方分之一。

LCD1602电路数码管RS485红外开关蜂鸣器译码器移位寄存器步进电机控制复位电路下载电路电源模块。