通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。
一,N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),取代晶格中硅原子的位置,形成N型半导体。
此时,自由电子成为多数载流子(多子),空穴成为少数载流子(少子)。
掺入的杂质越多,多子浓度越高,导电性能越强。
二,P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),取代晶格中硅原子的位置,形成
通过扩散工艺,在本征半导体中掺入少量合适的杂质元素,便可得到杂质半导体。按掺入的杂质元素不同,可形成N型半导体和P型半导体;控制掺入杂质元素的浓度,就可控制杂质半导体的导电性能。
一,N型半导体
在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),取代晶格中硅原子的位置,形成N型半导体。
此时,自由电子成为多数载流子(多子),空穴成为少数载流子(少子)。
掺入的杂质越多,多子浓度越高,导电性能越强。
二,P型半导体
在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),取代晶格中硅原子的位置,形成