FPGA Architectures: An Overview文献阅读笔记

本文介绍了FPGA的基本结构,包括可编程逻辑块、路由互连和I/O块。讨论了SRAM、Flash和反熔丝三种编程技术的优缺点。FPGA设计流程涵盖逻辑综合、技术映射、归集/封装、布局和布线,最终生成比特流进行编程。尽管FPGA具有灵活性,但其面积、速度和功耗相较于ASIC存在劣势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

FPGA简介

FPGA的可编程逻辑块和布线互连使其具有灵活性和通用性,但同时也使其比ASIC更大、更慢、更耗电。 这些缺点主要是因为FPGA的可编程路由互连,几乎占FPGA总面积的90%。 

FPGA通常包括:

•可编程逻辑块,用于实现逻辑功能。

•连接这些逻辑功能的可编程路由。通过重新编程可编程路由,可以根据需要改变逻辑元件之间的连接方式,从而实现新的电路功能或进行性能优化。

•通过路由连接到逻辑块并进行芯片外连接的I/O块。

Programming Technologies(编程技术)

SRAM编程技术

在基于SRAM的FPGA中,SRAM单元主要用于以下目的:

1.对FPGA的路由互连进行编程。

2.对用于实现逻辑功能的可配置逻辑块(CLB)进行编程。

基于SRAM的编程技术由于其可重新编程性和标准CMOS工艺技术的使用,成为FPGA的主要方法

SRAM单元需要6个晶体管,这使得与其他编程技术相比所使用的面积更大。另外SRAM单元本质上是易失性的,需要外部设备来永久存储配置数据。这些外部设备增加了基于SRAM的FPGA的成本和面积开销。

Flash编程技术

基于SRAM的编程技术的一个替代方案是使用基于闪存或EEPROM的编程技术。基于Flash的编程技术提供了几个优点。例如,这种编程技术本质上是非易失性的。基于闪存的编程技术也比基于SRAM的编程技术更具面积效率。基于Flash的编程技术也有其自身的缺点。与基于SRAM的编程技术不同,基于闪存的设备不能无限次地重新配置/重新编程。

此外,基于闪存的技术使用非标准CMOS工艺。

反熔丝编程技术

该技术的导通电阻和寄生电容比其他两种技术低。

该技术没有使用标准CMOS工艺。此外,基于反熔丝编程技术的器件不能被重新编程。

至此

人们希望拥有一种可重新编程、非易失性且使用标准CMOS工艺的编程技术。

基于SRAM的编程技术是应用最广泛的编程技术。主要原因是它使用了标准CMOS工艺。

可配置逻辑模块

可配置逻辑块(CLB)是FPGA的基本组件,其为目标应用程序设计提供基本逻辑和存储功能。

CLB可以由单个基本逻辑元件(BLE)或本地互连的BLE集群组成(如图2.4所示)。图2.4显示了一组4个BLE;每个BLE包含一个LUT-4和一个触发器。

 一个简单的BLE由一个LUT和一个触发器组成。具有k个输入的LUT(LUT-k)包含2^k个配置位,并且它可以实现任何k个输入布尔函数。

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