1.测试有哪些
EMC:电磁兼容(电磁环境中性能不能降低)
EMI:电磁发射(对外发射,对其他干扰)
EMS:电磁抗扰度(受干扰敏感度)
EMC:EMI和EMS
EMI:
辐射发射(RE):标准(CISPR 16,GB/T 6113)
传导发射(CE):标准(CISPR 16,GB/T 6113)
电流谐波
电压波动和闪烁
EMS:
静电放电抗扰度(ESD):标准(IEC 61000-4-2,GB/T 17626.2)
射频电磁场辐射抗扰度(RS):标准(IEC 61000-4-3,GB/T 17626.3)
电快速瞬变脉冲群抗扰度
雷击(浪涌)抗扰度
射频感应场传导抗扰度(CS):标准(IEC 61000-4-6,GB/T 17626.6)
工频磁场抗扰度
电压跌落与中断
2.ESD范围
消费:4KV(接触),8KV(空气)
车载:8KV(接触),15KV(空气)
3.ESD防护
并联放电器件:
TVS
齐纳二极管
压敏电阻
气体放电管
串联阻抗
串联电阻或磁珠限制电流,如高输入阻抗端口串1K(ADC,输入GPIO,按键)
增加滤波网络
滤波器滤掉能量
4.车载以太网静噪措施
HDMI,USB有GND线,共模电流通过GND返回,共模电流磁场相互抵消
以太网无GND线,共模电流对地杂散电容返回,易辐射
电缆中加GND线,可消除共模电流部分磁场
使用共模扼流圈:差模电流,两条线磁通相互抵消,不影响差动电流;共模电流,磁通相互加强(不影响差动信号,降低共模噪声)
差模(反相)--->消除--->通过
共模(同向)--->加强--->反射
选择性消除共模噪声
不均衡(长度,绕线方向偏差)--->共模噪声
5.CE,RE问题解决(电源AC端口)
CE测试数据:
RE测试数据:
198K(低频)--->差模噪声
增加差模滤波,电感,电容
CE高频--->共模接地不良及近场耦合,无法通过电感滤波改善
共模电容滤波
共模电容接地点,减小共模环路及接地阻抗
减少近场耦合
RE低频--->电源开关噪声引起辐射
端口高频滤波电容
加强电源参考地与机壳搭接
开关上升沿调整(影响效率)
6.接地
营造信号电流流回信号源地路径
地环路面积小
单点接地与多点接地
低频(<1MHz):布线和器件间电感影响小,地环路影响大,一点接地
>10MHz:地阻抗变大,降低地阻抗,就近多点接地
1-10MHz:一点接地,线长<=波长1/20,否则多点接地
单点接地:
多点接地:
数字模拟分开,分别与电源端地线相连,加大模拟接地面积
加粗接地线(接地电位随电流变化而变化,大于3mm)
数字电路构成闭环路(耗电多组件受地线粗细限制,产生较大电位差,构成环路缩小电位差)
7.EMC设计
合理导线宽度
布线策略
环路最小规则(信号线与其回路构成的环路面积)
短线规则(振荡器放器件近位置)
闭环检查规则(防止信号在不同层间形成闭环)
时钟线包地或紧邻
元器件布局
接口滤波,防护,隔离器件靠近接口,遵从先防护,后滤波原则
晶体,晶振,继电器,开关电源强辐射距面板,连接器边缘>=1000mil,距板内屏蔽罩,外壳>=500mil
数字模拟,高速低速,分开布局
去耦电容配置:抑制因负载变化而产生的噪声
电源输入端:10-100uF电解电容器,100uF以上效果更好(位置允许)
芯片:每个配置0.01uF陶瓷电容器;4-10个芯片配置一个1-10uF钽电解电容器(空间小),高频阻抗小(500kHz-20MHz内小于1Ω),漏电流小(0.5uA以下)
噪声能力弱,关断电流变化器件和ROM,RAM存储型器:芯片Vcc和GND间加去耦电容
去耦电容引线不能过长,高频旁路电容不能带引线