双端口RAM和多模块存储器【易忘】【中等】

双端口RAM
想象一下，双端口RAM就像一个有两个门的仓库，每个门都可以独立进出货物。在电脑的世界里，这些“货物”就是数据。每个门都有自己的一套系统来控制进出，所以两个不同的程序或处理器可以同时访问这个仓库，而且它们互不干扰。
但是，如果两个门同时想要往同一个箱子里放东西，或者一个门在往箱子里放东西的时候另一个门想从箱子里拿东西，就会出现问题。为了避免这种情况，我们可以设置一些规则，比如让一个门暂时关闭。
多模块存储器
多模块存储器就像是把一个大仓库分成几个小仓库，每个小仓库都有自己的门和管理系统。这样，不同的程序或处理器就可以同时访问不同的小仓库，提高了存取速度。
有两种方式来组织这些小仓库：
单体多字存储器：就像一个大仓库里有很多大箱子，每个箱子可以一次性装很多货物。这样做的好处是可以快速地存取大量数据，但缺点是所有的数据必须按顺序放在箱子里。
多体并行存储器：这就像是把大仓库分成几个小仓库，每个小仓库都有自己的门和管理系统，可以同时工作，也可以交叉工作。
交叉编址就像是给这些小仓库编号，有两种编号方式：
高位交叉编址：就像按照仓库的层数来分配货物，总是先访问第一层的仓库，然后再访问第二层的。
低位交叉编址：就像按照仓库的房间号来分配货物，这样可以把相关的货物放在相邻的小仓库里，提高存取效率。
最后，文件还提到了一些性能指标，比如存取一个字需要的时间（T），总线传送周期（r），以及至少需要多少个小仓库来保证效率（m=T/r）。这些都是为了确保数据存取的速度尽可能快。
简单来说，双端口RAM和多模块存储器都是为了让我们的电脑处理数据更快，就像给仓库增加了更多的门和通道，让货物进出更加迅速。

 

相关知识点

双端口RAM和多模块存储器的概念、特点以及它们在提高CPU访问存储器速度方面：
双端口RAM
概念：双端口RAM是一种具有两个独立端口的存储器，每个端口都有自己独立的地址线、数据线和读写控制线。这意味着两个独立的控制器可以同时且异步地访问存储单元。
冲突：
写入冲突：当两个端口尝试同时向同一个地址单元写入数据时，会发生冲突。解决这个问题的方法是通过判断逻辑暂时关闭一个端口。
读/写冲突：当一个端口在写入数据而另一个端口尝试读取同一个地址单元的数据时，也会发生冲突。同样，可以通过逻辑判断来解决这个问题。
无冲突：
当两个端口尝试同时读取同一个地址单元时，如果没有写入操作，这种情况是无冲突的。
多模块存储器
目的：提高访问速度。
单体多字存储器：
概念：存储器中只有一个存储体，每个存储单元可以存储多个字（m个字），总线宽度也是m个字，可以一次性并行读出m个字。
优点：增大了存储器的带宽，提高了单体存储器的工作速度。
缺点：指令和数据在内存内必须连续存放。
多体并行存储器：
由多个具有相同容量和存取速度的模块构成，每个模块都有独立的控制电路、地址寄存器和数据寄存器，可以并行或交叉工作。
交叉编址：
高位交叉编址：低位的体内地址被送到由高位体号确定的模块内进行译码，总是按顺序访问存储模块。
低位交叉编址：总是把高位的体内地址送到由低位体号确定的模块内进行译码，程序存放在相邻模块中，采用流水线存取。
性能指标：
模块存取一个字的周期为T，总线传送周期为r。为了有效提高存储速度，存储器交叉模块数至少为m=T/r。模块间的时间延迟为a，存取n个字的时间计算公式为：t = T + (n - 1)a
小贴士
为了有效提高存储速度，多体低位交叉编址是一种有效的方法。
这些技术都是为了解决存储器访问速度的问题，通过并行和交叉编址技术来提高数据的存取效率。