关于SRAM验证的一些思考

最近遇到非标准的sram:两个sram拼在一起，每个SRAM 数据位宽是128bit,

关于读写

对于写端：每次可能写入128bit或256bit;

对于读端：只要sram 剩余数据大于等于256bit就会读256bit,否则读128bit，直至sram empty.

关于空满

pre_full , 可通过寄存器（back_pressure_thrd/back_pressure_return_thrd）配置sram 剩余多少空间pre_full举起来以及举起后剩余多少空间pre_full拉低；

当pre_full拉起来后HW还可以write 3 行sram  address .

empty,就是sram 空；

一些验证思考

  check part

1. 计算sram使用空间的单位是什么，是128bit还是256bit（考虑写入奇数个128bit的场景）
2. sram used depth 是否计算正确
3. pre_full assert/de-assert的行为是否正确(是小于thrd还是小于等于thrd pre_full就会assert；产生逻辑是组合和是register out)
4. pre_full拉起后是否最多写三笔
5. sram 是否会overflow(当thrd设定值比较小时)
6. 结合3、4、5，若是register out,需考虑back_pre_thrd不能小于5；若设为4，因为HW是小于thrd pre_full会为1，即left space 为3时,且 pre_full register out，故当pre_full举起时left space 可能为2.
7. simulation结束时 FSM是IDLE,counter、sram used depth 均为0，sram 为empty ，读写指针要相等

   cover part

1. stimulus 是否足够random(应对一些没有想到的场景)
2. 两个sram address 是否都有访问
3. 当sram left space 恰好等于back_press_thrd,且没有数据再写入sram
4. 当sram left space 恰好等于back_press_return_thrd,且有数据再写入sram
5. sram left space 等于0（full）
6. sram 写入奇数个128bit data
7. back_pressure_thrd 和 return_thrd相等
8. 同T读2笔data（unit : sram used depth ）
9. 同T写2笔data（unit : sram used depth ）
10. cross item8和item9