注:这一章主要介绍了SRAM与DRAM、ROM与FLASH、并行存储器、cache存储器、虚拟存储器的概念,其中cache存储器和虚拟存储器是重点内容。
1、SRAM与DRAM
目前采用最广泛的内部存储器是半导体存储器。其根据信息存储的机理,又分为静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。SRAM的优点是存取速度快,但存储量不如DRAM大。
动态MOS随机读写存储器DRAM的存储量极大,通常用作计算机的主存储器。
SRAM存储器的存储单元是一个触发器,具有两个稳定的状态。而DRAM存储器的储存元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路,其中MOS管作为开关使用,而所存储的信息1和0则是由电容器上的电荷量来体现——当电容器充满电荷时。代表存储了1,当电容器放电没有电荷时,代表存储了0。
DRAM的刷新周期:DRAM存储位元是基于电容器上的电荷量存储,这个电荷量随之的时间和温度而减少,因此必须定期地刷新,从而保存原来的存储信息。一般典型器件的刷新周期是8ms到16ms,某些器件的刷新周期可以大于100ms。
一次读写操作会自动地刷新选中行中的所有存储单元。于此同时必须对DRAM进行定时刷新。
刷新操作有集中式刷新和分散式刷新两种方式:
集中式刷新,DRAM的所有行在每一个刷新周期中都将被刷新。
分布式刷新,每一行的刷新插入到正常的读写周期之中。
SRAM和DRAM都是随机读写存储器。
2、ROM与FLASH
只读存储器ROM:顾名思义,只读的意思是在它工作时只能读出,不能写入。其工作可靠性高,保密性强,被广泛应用。ROM分为掩模ROM和可编程ROM两类。掩模ROM实际是一个存储内容固定的ROM。后者又分为一次性编程的PROM和多次编程的EPROM和E²PROM。前者是鼻祖,后者是继承创新的产物。
闪速存储器FLASH:是高密度非易失性的读写存储器。高密度意味着它具有巨大比特数目的存储容量。非易失性意味着存放的数据可在没有电源的情况下可以长期保存。
3、并行存储器
由于CPU和主存储器之间在速度上是不匹配的,为了提高CPU和主存之间的数据传输率,除了采用更高速的技术来缩短读出时间外,还可以采用并行技术的存储器。