IGBT基础及特性分析

LiangBo1999

已于 2023-09-18 17:48:49 修改

阅读量1.3k

点赞数 1

分类专栏：总结笔记车载硬件文章标签：硬件工程

于 2023-09-18 15:24:46 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/liangbo1999/article/details/132980549

版权

笔记同时被 3 个专栏收录

7 篇文章 1 订阅

订阅专栏

总结

6 篇文章 1 订阅

订阅专栏

车载硬件

3 篇文章 0 订阅

订阅专栏

IGBT关键参数

在这里插入图片描述

Ic：以直流标称的额定电流能力；其应用准则为不超过最高允许结温。实际使用当中多遵循降额准则进行。
在这里插入图片描述

Icm：标称连续脉冲电流能力，一般以2*Ic为多（大部分厂家标称1ms）。其实际使用最大意义在于其对应安全工作区电流上限。实际使用多以此衡量短脉冲过载（二类短路电流限值）。
在这里插入图片描述

Ic：短路允许电流，其值为芯片本身特性决定，即在允许电压先短路IGBT，电流所能达到最大值。大部分芯片为4-5Ic，该值对应耐受时间为IGBT所能承受最大极限，一般为5-10us。
在这里插入图片描述

RBSOA：主要体现IGBT的安全工作区，其含义为IGBT的工作电压电流时时运行轨迹需在规定的安全工作区内部，不允许超出。
在这里插入图片描述

SOA：体现为二极管的安全工作区，，其含义为IGBT的工作电压电流时时运行轨迹需在规定的安全工作区内部，不允许超出。

提升IGBT出流能力的方法

当前车载和工业模组在实际应用中因为需要保证在短路时IGBT/SiC器件的电压应力不超额，需要使用较大的关断电阻，关断电阻太大会导致关断损耗增大，器件的发热量会变大，导致IGBT/SIC的工作节温上升，使IGBT/SiC的输出电流能力降低。为了满足相应的电流输出能力，需要额外增加散热措施，降低系统的热阻或选用规格更大输出能力的IGBT/SIC器件，但其会导致整体的成本提升，导致产品竞争力降低且无法最大限度的发挥器件的电流能力。
在这里插入图片描述

在GC/GD间并联一个TVS进行钳位能够将IGBT/SIC在关断时Vce/Vds的短而尖的电压尖峰变为宽而平的电压尖峰，能够降低关断的电压应力，这样我们能够选用更小的关断电阻，降低关断损耗，提升IGBT/SIC的输出能力以及整体效率。
IGBT关断时的电压应力一般都是想办法去抑制，但很少有去利用这个电压尖峰做反馈，有源钳位电路的抑制电压尖峰的原理：
1、通过TVS管将尖而窄的电压尖峰变为宽和平的电压，使用TVS管本身的电压钳位能力；
2、将TVS管的击穿电流注入门级，可以增大关断时间t，降低di/dt，达到降低电压应力的目的，即利用电压尖峰将其做反馈（主要作用）；
有源钳位电路能够解耦正常工况与短路工况，正常运行工况使用小的关断电阻，短路等过流工况能够及时进行反馈进行钳位和保护。有源钳位电路在正常工作状态，包括2倍峰值电流工作状态下，电路不工作或处于弱击穿状态，对IGBT的正常开关过程无影响或影响较小，在大电流关断以及短路时及时动作保护有效的钳位和降低IGBT的关断电压尖峰。

IGBT驱动电路

在这里插入图片描述

驱动电路分为驱动信号输入，信号隔离（关注传输延时即可），驱动故障检测；驱动芯片包含原副边电源电压欠压、IGBT过流、IGBT温度检测、故障反馈、过流软关断，SPI通信功能等。其中开通电阻为8个电阻并联，关断电阻为4个电阻并联，需要根据P=U*U/R计算其阻值是否满足功率降额要求。

双脉冲测试

在这里插入图片描述

第一阶段：在门极放出第一个脉冲，被测IGBT饱和导通，电动势U加在负载L上，电感的电流I线性上升；
第二阶段：T1时，被测IGBT关断，负载L上的电流由上管二极管续流，该电流缓慢衰减；
在这里插入图片描述

第三阶段：T2时，第二个脉冲上升沿到达，被测IGBT再次导通，续流二极管进入反向恢复，反向恢复电流会穿过IGBT，在电流探头上能捕捉到这个电流；
第四阶段：T4时，被测IGBT再次关断，此时电流比较大，因为母线杂散电感Ls的存在，会产生一定的电压尖峰。
在这里插入图片描述

8.1测试目的
1、评估IGBT的功能和性能，评估Rg_on及Rg_off的大小是否合适；
2、实测IGBT总损耗以及二极管总损耗，与规格书范围进行对比；
8.2注意事项
1、上管IGBT虽然是一直关断的，但必不可少，因为下管关断后短路电流需要通过上管二极管续流；
2、测试需关注VCE、VGE、Ic；
3、电流需要测试图示Ic位置，测试位置不可在电感端；
4、被测对象为上管二极管以及下管IGBT；
在这里插入图片描述

8.3波形解释
在这里插入图片描述

CH1:VGE CH2:VCE CH3:Ic
在IGBT第二次开通时，Ic增长，杂散电感(Us=Ls*di/dt)上的感应电压与母线电压相反(电感器线圈在自身磁场的作用下感应出电动势，这个自感电动势的方向与电源电压方向相反，具有阻碍电流增大的作用)，所以此时下管VCE波形存在缺口，缺口电压产生原因是杂散电感抵消了一部分母线电压。
8.4判断标准
IGBT下管关断后VCE电压尖峰应力小于750V且无明显震荡；VGE电压在±20V范围内（按照II区100%降额）
在这里插入图片描述

计算IGBT的Eon、Eoff
在这里插入图片描述

基于计算得到的IGBT损耗数据、二极管损耗数据，对IGBT上下桥温度进行热仿真
在这里插入图片描述

在该单板开发项目，所用驱动芯片上桥无温度采样功能导致需通过双脉冲算出损耗从而仿真出IGBT温度，进而得到堵转保护策略。
 仿真条件：水温70℃/8L
 测试条件：350V、410V 开通电阻2.27974Ω，关断电阻6.75Ω
 结论：通过下桥Tsense做补偿得出上桥预测值来进行降额/切频保护（降额及切频温度为下桥Tsensemax+ ΔT ），所得ΔT=36.27℃
在这里插入图片描述